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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SID-JC (共催) ITE-IDY, EID (連催) [詳細] |
2022-07-29 16:10 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | ［招待講演］バックコンタクトIGZO-TFTを用いた新規ハイブリッドバックプレーン構造の開発 ○本城正智・武田悠二郎・アマン メハディ・伊東一篤・田中耕平・松木薗広志・中村 渉（シャープディスプレイテクノロジー） |
バックコンタクトIGZO-TFTとLTPSを用いた新規ハイブリッドバックプレーン構造の開発について報告する。本構造ではレ... [more] | |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-22 14:10 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化 Rostislav Velichko（高知工科大）・曲 勇作（島根大）・○古田 守（高知工科大）  SDM2022-4 OME2022-4 |
代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）であるIn–Ga–Zn–O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを... [more] | SDM2022-4 OME2022-4 pp.17-20 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大） EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御 ○古田 守・アマン S G メハディ・是友大地・曲 勇作（高知工科大） SDM2018-6 OME2018-6 |
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] | SDM2018-6 OME2018-6 pp.25-28 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ 東 龍之介・是友大地・田中宏怜（高知工科大）・髙橋誠一郎・八島 勇（三井金属鉱業）・○古田 守（高知工科大） SDM2018-7 OME2018-7 |
In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有す... [more] | SDM2018-7 OME2018-7 pp.29-31 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 10:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研） R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップとい... [more] | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 pp.5-8 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY (連催) [詳細] |
2015-07-28 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | SID2015報告：AMD関連分野 ○松田時宜（龍谷大） EID2015-4 |
Display Week 2015 (SID’15) が2015年5月31日～6月5日までの日程にてアメリカ合衆国カリフ... [more] | EID2015-4 pp.37-40 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 17:05 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 ○古田 守・ジャン ジンシン・辰岡玄悟・王 大鵬（高知工科大） SDM2015-8 OME2015-8 |
本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響... [more] | SDM2015-8 OME2015-8 pp.31-34 |
| SID-JC, ITE-IDY, EID (共催) [詳細] |
2013-07-17 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | SID2013報告会 ～ 有機ELディスプレイと照明 ～ ○伊佐敏行（半導体エネルギー研） EID2013-3 |
SID2013で発表された有機ELディスプレイおよび有機EL照明技術について報告する。 [more] | EID2013-3 pp.9-12 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 17:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価 ○Gwang-Geun Lee（東工大）・Sung-Min Yoon（ETRI）・Joo-Won Yoon（東工大）・藤崎芳久（日立）・石原 宏・徳光永輔（東工大） SDM2010-16 OME2010-16 |
本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発性メモリ機能を... [more] | SDM2010-16 OME2010-16 pp.71-75 |
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