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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
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