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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:00
東京 機械振興会館 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
金澤 徹若林和也齋藤尚史寺尾良輔田島智宣池田俊介宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-181 MW2009-164
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] ED2009-181 MW2009-164
pp.39-42
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:50
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝SDM2009-107 ICD2009-23
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] SDM2009-107 ICD2009-23
pp.53-56
SDM 2008-06-10
09:55
東京 東京大学(生産研 An棟) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構SDM2008-49
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] SDM2008-49
pp.41-46
SDM 2007-06-08
13:35
広島 広島大学(学士会館) Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御
喜多浩之能村英幸鈴木 翔高橋俊岳西村知紀鳥海 明東大SDM2007-47
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている.HfO2/Geは600℃での... [more] SDM2007-47
pp.85-90
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