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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 16:05 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | ［招待講演］テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・徐 照男・杉山弘樹・佐々木太郎・高橋宏行・中島史人（NTT）  ED2022-76 MWPTHz2022-47 |
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており，その周波数帯の一候補... [more] | ED2022-76 MWPTHz2022-47 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 12:05 |
福井 | 福井大学 | Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発 ○柏原 康・高木重徳・増田和俊・松下景一・小野寺 賢・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 |
AlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(Vds)... [more] | ED2007-172 CPM2007-98 LQE2007-73 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:00 |
京都 | 京都大学 | X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原 康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝） |
我々はＸ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] | ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 pp.1-5 |
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