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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| IT, RCS, SIP (共催) |
2023-01-24 10:00 |
群馬 | 前橋テルサ （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
典型的な線形符号の階層的構成法 ○鈴木海斗・植松友彦（東工大）  IT2022-35 SIP2022-86 RCS2022-214 |
Shannonの通信路符号化定理によると、通信路の条件付き確率と入力アルファベットの確率分布によって定まる通信路容量と呼... [more] | IT2022-35 SIP2022-86 RCS2022-214 pp.36-41 |
| AI | 2018-08-27 14:15 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | 福岡・熊本・鹿児島における降水イベントの時間変化特性 ○松本直樹・荻野健太（熊本大）・福井健一（阪大）・冨田智彦（熊本大） AI2018-20 |
日本における多降水イベントの予測性能の向上を目指し、本研究は九州の緯度方向に並ぶ3地点、福岡・熊本・鹿児島、の雨の降り方... [more] | AI2018-20 pp.39-44 |
| ICD | 2017-04-20 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM ○土田賢二（東芝）・Kwangmyoung Rho・Dongkeun Kim（SK hynix）・白井 豊（東芝）・Jihyae Bae（SK hynix）・稲場恒夫・野呂寛洋（東芝）・Hyunin Moon・Sungwoong Chung（SK hynix）・須之内一正（東芝）・Jinwon Park・Kiseon Park（SK hynix）・山本明人（東芝）・Seoungju Chung・Hyeongon Kim（SK hynix） ICD2017-3 |
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] | ICD2017-3 pp.11-16 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| IBISML | 2013-03-05 15:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 統計的決定理論に基づく階層構造を利用したマルチラベル分類法について ○山本粋士・須子統太・松嶋敏泰（早大） IBISML2012-107 |
本稿では，統計的決定理論に基づくマルチラベル分類法を扱う．マルチラベル分類は，ラベル集合の冪集合の要素を一つのクラスと見... [more] | IBISML2012-107 pp.101-106 |
| ICD | 2010-04-22 15:45 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ，1/0平均化リファレンスセル，2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM ○竹村理一郎・河原尊之（日立）・三浦勝哉・山本浩之（日立/東北大）・早川 純・松崎 望・小埜和夫・山ノ内路彦・伊藤顕知・高橋宏昌（日立）・池田正二（東北大）・長谷川晴弘・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） ICD2010-10 |
1.8 V動作，32 nsアクセス，セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは，150 n... [more] | ICD2010-10 pp.53-57 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| ICD | 2005-04-15 13:00 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 1.5nsアクセス時間0.25μm CMOS/SIMOX SRAMマクロセル ～ デュアルワード線による高速化と低電力化 ～ ○柴田信太郎・石原隆子（NTT）・栗田茂弘・沖山秀臣（NEL） |
内蔵キャッシュメモリ等の小規模SRAMに適用可能な高速かつ低消費電力な回路技術を開発した。メモリセルのデータ入力ポートと... [more] | ICD2005-16 pp.19-24 |
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