| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] | SDM2021-55 pp.13-18 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]