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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 13:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大）  SDM2023-32 |
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] | SDM2023-32 pp.19-22 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2022-01-31 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 ○市原玲華（キオクシア） SDM2021-70 |
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] | SDM2021-70 pp.9-11 |
| SDM | 2021-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 ○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・Su, Chun-Jung（TSRI）・Hu, Vita Pi-Ho（NTU） SDM2021-56 |
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない．特に消費電力性能が重要... [more] | SDM2021-56 pp.19-22 |
| CPM | 2021-10-27 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-31 |
近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低... [more] | CPM2021-31 pp.43-45 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2021-10-21 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro（Tokyo Tech.） SDM2021-48 |
[more] | SDM2021-48 pp.16-19 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| SDM | 2021-01-28 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析 ○市原玲華（キオクシア） SDM2020-49 |
HfO2-FeFETでは，自発分極の反転に加え，その効果を相殺する極性の電荷トラップがHfO2/SiO2界面近傍に生じる... [more] | SDM2020-49 pp.1-2 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 09:30 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［招待講演］極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎（東大） SDM2019-45 ICD2019-10 |
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] | SDM2019-45 ICD2019-10 pp.59-62 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| SDM | 2019-01-29 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study ○Chengji Jin・Kyungmin Jang・Takuya Saraya・Toshiro Hiramoto・Masaharu Kobayashi（Univ. of Tokyo） SDM2018-84 |
We have experimentally studied and revealed the direct relat... [more] | SDM2018-84 pp.13-16 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM | 2018-06-25 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-25 |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] | SDM2018-25 pp.43-46 |
| SDM | 2018-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2017-96 |
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] | SDM2017-96 pp.21-24 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| ICD | 2017-04-21 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 ○山口まりな・藤井章輔・上牟田雄一・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄（東芝） ICD2017-16 |
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの，CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや，データ読み出... [more] | ICD2017-16 pp.85-88 |
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