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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITS, IE (共催) ITE-MMS, ITE-ME, ITE-AIT (共催) (連催) [詳細] |
2024-02-20 15:00 |
北海道 | 北海道大学 | スマートモビリティチャレンジ2022年の事務局分析におけるGraph Edit Distanceの手法を用いた移動・外出活動パータンの把握 ○Tran Yen・橋本尚久・三浦貴大（産総研）  ITS2023-78 IE2023-67 |
スマートモビリティチャレンジプロジェクトにおいて、産総研は、採択された地域における新たなモビリティサービスやいわゆるMo... [more] | ITS2023-78 IE2023-67 pp.177-181 |
| IE, ITS (共催) ITE-MMS, ITE-ME, ITE-AIT (共催) (連催) [詳細] |
2023-02-22 16:05 |
北海道 | 北海道大学 | スマートモビリティチャレンジにおけるモビリティサービスの取り組み紹介 ～ 2022年度スマートモビリティチャレンジ ～ ○橋本尚久（産総研） ITS2022-78 IE2022-95 |
本報告では、モビリティサービスの社会実装を目指す取り組みであるスマートモビリティチャレンジの紹介を行う。これまでのスマー... [more] | ITS2022-78 IE2022-95 pp.204-207 |
| SDM | 2022-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化 ○野口宗隆・渡邊 寛（三菱電機）・喜多浩之（東大）・西川和康（三菱電機） SDM2022-75 |
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] | SDM2022-75 pp.50-54 |
| CQ | 2017-01-19 13:25 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | Performance evaluation of RPL-based sensor data collection in challenging IoT environment ○Liming Gao・Celimuge Wu・Tsutomu Yoshinaga（UEC） CQ2016-91 |
In recent years, the concept of internet of things (IoT) has... [more] | CQ2016-91 pp.7-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2015-06-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 ○叶内慎吾・石塚侑己・大橋優樹（長岡技科大）・大石耕一郎・片桐裕則（長岡高専）・玉山泰宏・安井寛治（長岡技科大） EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28 |
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添... [more] | EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28 pp.23-27 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2013-06-21 16:35 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて堆積したZnO膜へのN2O添加効果 ○山口直也・大橋優樹・永富瑛智・玉山泰宏・加藤孝弘・安井寛治（長岡技科大） EMD2013-22 CPM2013-37 OME2013-45 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] | EMD2013-22 CPM2013-37 OME2013-45 pp.83-87 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2013-06-21 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたZnO膜の成長 ～ ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み ～ ○竹澤和樹・中村友紀・小柳貴寛・加藤孝弘（長岡技科大）・片桐裕則・大石耕一郎・神保和夫（長岡高専）・安井寛治（長岡技科大） EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと反応させ形成した高エネ... [more] | EMD2013-23 CPM2013-38 OME2013-46 pp.89-94 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2013-01-25 16:40 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入 ○小池真利子・仕幸英治・安藤裕一郎・新庄輝也（阪大）・山田晋也・浜屋宏平（九大）・白石誠司（阪大） MR2012-43 |
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] | MR2012-43 pp.25-28 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
| OME | 2011-01-19 14:15 |
愛知 | 愛知工業大学 本山キャンパス | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性 ○渡辺悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2010-66 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2010-66 pp.39-43 |
| CPM | 2010-07-29 14:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長 田原将巳・三浦仁嗣・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-33 |
ジルコニアに担持した白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中... [more] | CPM2010-33 pp.11-15 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大） ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x = 0～1のGaxIn1-xAs多結晶を約1μ... [more] | ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討 ○吉岡裕典・木本恒暢（京大） |
極薄SOIを用いたMOSFETは次世代LSIの有望な候補である。しかしながら、SOIの膜厚が約10 nm以下になると、そ... [more] | |
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