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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2017-10-04
15:00
宮城 東北大学 COBAND実験に用いるHf-STJの開発研究
武政健一金 信弘武内勇司飯田崇史浅野千紗若狭玲那笠島誠嘉菅野洋信筑波大)・COBAND 実験コラボレータ
宇宙背景ニュートリノ崩壊探索実験(COBAND実験)に用いる遠赤外一光子分光が可能な検出器として、ハフニウムを用いた超電... [more] SCE2017-21
pp.1-4
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2016-03-04
13:10
愛知 名古屋大学 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転
陳 舟平永良臣東北大)・清水荘雄片山きりは三村和仙舟窪 浩東工大)・長 康雄東北大
近年,Y:HfO2薄膜など,酸化ハフニウム薄膜の強誘電性が相続き証明された.しかしながら,これまでの研究では,直接的に強... [more] MR2015-34
pp.29-32
SDM 2015-10-30
15:00
宮城 東北大学未来研 Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyo Tech
 [more] SDM2015-82
pp.57-62
SDM 2014-10-16
16:00
宮城 東北大学未来研 Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyoTech
 [more] SDM2014-87
pp.19-22
SDM 2014-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness:... [more] SDM2014-43
pp.1-5
ED 2010-10-26
09:55
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性
池田啓太大上 航後藤康仁辻 博司京大
フィールドエミッタアレイ(FEA)を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000... [more] ED2010-137
pp.47-50
ED 2009-10-15
15:05
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性
後藤康仁池田啓太宮田雄高遠藤恵介辻 博司京大
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、
三極管構成でその電子放出... [more]
ED2009-119
pp.17-20
ED 2006-08-03
16:30
大阪 大阪大学 コンベンションセンター TFT制御FED
長尾昌善安室千晃坂村祐一金丸正剛伊藤順司産総研
フィールドエミッションディスプレイの各画素のフィールドエミッタアレイ(FEA)を薄膜トランジスタ(TFT)で制御する”T... [more] ED2006-126
pp.47-52
SDM 2006-06-21
13:25
広島 広島大学, 学士会館 HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析
中川 博大田晃生安部浩透村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大
化学溶液洗浄したGe(100)基板上に反応性電子ビーム(EB)蒸着により堆積した極薄HfO2膜(膜厚2.1&#61566... [more] SDM2006-43
pp.7-12
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