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電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
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マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城
東北大学・電気通信研究所
[招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
徐 照男
・
杉山弘樹
・
佐々木太郎
・
高橋宏行
・
中島史人
(
NTT
)
ED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補...
[more]
ED2022-76
MWPTHz2022-47
pp.23-27
ED
,
THz
(共催)
[詳細]
2019-12-23
16:20
宮城
東北大学・電気通信研究所
テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
杉山弘樹
・
野坂秀之
・
松崎秀昭
(
NTT
)
ED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ...
[more]
ED2019-82
pp.23-28
ED
2015-12-21
13:45
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
高橋 剛
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
岩井大介
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30...
[more]
ED2015-92
pp.7-11
MW
2015-05-29
09:00
東京
電気通信大
高出力GaN HEMT素子を用いた高電力高効率増幅器/整流器の設計・試作およびその評価
○
森 大介
・
石川 亮
・
本城和彦
(
電通大
)
MW2015-27
トランジスタを用いた電力増幅器では高調波処理により高効率化が実現されるが,電力の流れで見ると,直流電力をRF電力へ高効率...
[more]
MW2015-27
pp.37-42
ED
2014-12-22
15:00
宮城
東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟
種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2014-102
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては,ゲート長Lg の短縮に加えて,短チャネル効果抑制のためのゲー...
[more]
ED2014-102
pp.21-26
MW
,
ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京
機械振興会館
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
○
吉田智洋
・
小林健悟
・
尾辻泰一
・
末光哲也
(
東北大
)
ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電...
[more]
ED2012-127
MW2012-157
pp.79-84
ED
2012-12-17
13:50
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
○
芝 祥一
・
佐藤 優
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
高橋 剛
・
牧山剛三
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再...
[more]
ED2012-95
pp.11-15
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2012-11-29
16:15
大阪
大阪市立大学
Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs
○
Md. Tanvir Hasan
・
Hirokuni Tokuda
・
Masaaki Kuzuhara
(
Univ. of Fukui
)
ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104
AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studi...
[more]
ED2012-76
CPM2012-133
LQE2012-104
pp.45-50
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:45
沖縄
沖縄県青年会館
[招待講演]Current Status of GaN Technologies in ETRI
○
Jae Kyoung Mun
・
Jong-Won Lim
・
Sang Choon Ko
・
Seong-il Kim
・
Eun Soo Nam
(
ETRI
)
ETRI is established as the national R&D institute of informa...
[more]
ED
2011-12-14
13:40
宮城
東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟
InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI...
[more]
ED2011-101
pp.7-12
ED
2010-12-17
11:15
宮城
東北大学 電気通信研究所
ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の...
[more]
ED2010-168
pp.59-64
ED
2009-11-29
15:30
大阪
大阪科学技術センター
モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
NICT/富士通研
)・
松井敏明
(
NICT
)
ED2009-163
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長Lg の短縮,及び短チャネル効果を抑制す...
[more]
ED2009-163
pp.19-23
MW
(ワークショップ)
2009-08-20
- 2009-08-21
海外
KMUTNB, Bangkok, Thailand
[招待講演]InP-based IC technologies for over 10 Gbps communications systems
○
Shoji Yamahata
・
Koichi Murata
(
NTT
)
The development of high-speed ICs with InP-based high-freque...
[more]
SDM
,
ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道
かでる2・7(札幌)
熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
○
大来英之
・
星 真一
・
丸井俊治
・
伊藤正紀
・
戸田典彦
・
森野芳昭
・
玉井 功
・
佐野芳明
・
関 昇平
(
OKI
)
ED2008-105 SDM2008-124
[more]
ED2008-105
SDM2008-124
pp.341-345
ED
2007-11-27
14:45
宮城
東北大学 電気通信研究所
サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
(
NICT
)・
山下良美
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)・
松井敏明
(
NICT
)
ED2007-190
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し,そのDC,...
[more]
ED2007-190
pp.17-21
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