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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 [招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也濱田裕史徐 照男杉山弘樹佐々木太郎高橋宏行中島史人NTTED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補... [more] ED2022-76 MWPTHz2022-47
pp.23-27
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
MW 2015-05-29
09:00
東京 電気通信大 高出力GaN HEMT素子を用いた高電力高効率増幅器/整流器の設計・試作およびその評価
森 大介石川 亮本城和彦電通大MW2015-27
トランジスタを用いた電力増幅器では高調波処理により高効率化が実現されるが,電力の流れで見ると,直流電力をRF電力へ高効率... [more] MW2015-27
pp.37-42
ED 2014-12-22
15:00
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2014-102
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては,ゲート長Lg の短縮に加えて,短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] ED2014-102
pp.21-26
MW, ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京 機械振興会館 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
吉田智洋小林健悟尾辻泰一末光哲也東北大ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] ED2012-127 MW2012-157
pp.79-84
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
16:15
大阪 大阪市立大学 Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs
Md. Tanvir HasanHirokuni TokudaMasaaki KuzuharaUniv. of FukuiED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104
AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studi... [more] ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104
pp.45-50
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Current Status of GaN Technologies in ETRI
Jae Kyoung MunJong-Won LimSang Choon KoSeong-il KimEun Soo NamETRI
ETRI is established as the national R&D institute of informa... [more]
ED 2011-12-14
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] ED2011-101
pp.7-12
ED 2010-12-17
11:15
宮城 東北大学 電気通信研究所 ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の... [more] ED2010-168
pp.59-64
ED 2009-11-29
15:30
大阪 大阪科学技術センター モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響
遠藤 聡渡邊一世NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2009-163
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長Lg の短縮,及び短チャネル効果を抑制す... [more] ED2009-163
pp.19-23
MW
(ワークショップ)
2009-08-20
- 2009-08-21
海外 KMUTNB, Bangkok, Thailand [招待講演]InP-based IC technologies for over 10 Gbps communications systems
Shoji YamahataKoichi MurataNTT
The development of high-speed ICs with InP-based high-freque... [more]
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道 かでる2・7(札幌) 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
大来英之星 真一丸井俊治伊藤正紀戸田典彦森野芳昭玉井 功佐野芳明関 昇平OKIED2008-105 SDM2008-124
 [more] ED2008-105 SDM2008-124
pp.341-345
ED 2007-11-27
14:45
宮城 東北大学 電気通信研究所 サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性
遠藤 聡渡邊一世NICT)・山下良美富士通研)・三村高志富士通研/NICT)・松井敏明NICTED2007-190
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し,そのDC,... [more] ED2007-190
pp.17-21
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