お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 227件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:50
ONLINE オンライン開催 InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討
谷口慶伍東京理科大)・細谷友崇東北大)・楳田洋太郎高野恭弥東京理科大)・末光哲也佐藤 昭東北大ED2020-35 MW2020-88
本稿では、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の寄生抵抗を高精度に抽出する新しい方法を提案する。従来の抽出方法では, 寄... [more] ED2020-35 MW2020-88
pp.38-43
EE 2021-01-25
13:55
ONLINE オンライン開催(Zoom) カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析
新井大輔名大)・神山祐輔八木修一河合弘治成井啓修パウデック)・今岡 淳山本真義名大EE2020-32
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し,抵抗負荷でスイッ... [more] EE2020-32
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
11:20
ONLINE オンライン開催 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
バラトフ アリ小澤渉至山下隼平アスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
pp.60-62
WPT, EE
(併催)
2020-10-07
13:40
ONLINE オンライン開催 ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
高橋英匡安藤裕二名大)・土屋洋一分島彰男名工大)・林 宏暁柳生栄治三菱電機)・桔川洸一坂井尚貴伊東健治金沢工大)・須田 淳名大WPT2020-19
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] WPT2020-19
pp.1-5
MW, AP
(併催)
2020-09-24
15:00
ONLINE オンライン開催 パッシブ動作E-pHEMTを用いる5.8GHz帯大電力整流器MMIC
小松郁弥坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2020-35
ここでは,パッシブ動作E-pHEMTを用いる整流用ダイオードによる5.8GHz帯大電力整流器MMICについて報告する.ノ... [more] MW2020-35
pp.1-6
EMT, MW, OPE, EST, MWP
(共催)
THz, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2020-07-17
14:15
ONLINE オンライン開催 OAM通信用ループアンテナを直接平衡励振する直列接続型高調波処理GaN HEMTドハティ増幅器の検討
中田将大高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24
直列接続型ドハティ増幅器の直列結合に利用するバランを省略し,軌道角運動量(OAM)通信用平衡励振ループアンテナをダイレク... [more] EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24
pp.101-106
MW, WPT
(共催)
2020-04-23
16:30
ONLINE オンライン開催 パワーアンプとアンテナの一体化設計
鈴木麻子名大)・伴 駿矢大島尭隻平山 裕名工大)・原 信二名大WPT2020-10 MW2020-10
マイクロ波を利用した無線電力伝送 にお け る 送電 側 効率 を 高効率化 する方法 を提案する 。トランジスタ の最... [more] WPT2020-10 MW2020-10
pp.51-54
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:00
東京 機械振興会館 地下3階6号室 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大ED2019-104 MW2019-138
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] ED2019-104 MW2019-138
pp.55-58
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術
渡邊一世山下良美笠松章史NICTED2019-105 MW2019-139
窒化ガリウム(GaN)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)等の化合物半導体電子デバイスは,周波数100 GHz以上で動... [more] ED2019-105 MW2019-139
pp.59-64
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-24
10:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタのゲート電極からの光電流出力に関する検討
齋藤 琢鈴木雅也細谷友崇尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・佐藤 昭東北大ED2019-88
我々は室温動作・高感度・高速応答可能な高感度THz検出素子として期待される、格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタ... [more] ED2019-88
pp.49-52
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:55
静岡 静岡大学(浜松) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
pp.37-40
MW 2019-11-14
15:35
沖縄 南大東村多目的交流センター 高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaNHEMTドハティ増幅器
瀬下拓也高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大MW2019-106
次世代通信システムの実現に向けて,電力増幅器は更なる高効率· 高機能化が求められている.通信システムの高度化に伴い,基地... [more] MW2019-106
pp.35-39
MW 2019-11-14
16:00
沖縄 南大東村多目的交流センター スプリアス抑圧回路とインピーダンス変換回路にT型スタブを用いた高効率ドハティ増幅器
髙木裕貴長谷川直輝太田喜元ソフトバンク)・石川 亮本城和彦電通大MW2019-107
近年の移動体通信システムの高速・大容量化に伴い, 移動体通信で使用する周波数帯は従来の低SHF 帯に加えて, 準ミリ波帯... [more] MW2019-107
pp.41-46
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2019-01-18
10:40
東京 日立中研 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析
四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・舘野泰範米村卓巳古川将人山本 洋住友電工)・野瀬幸則清水 聡住友電工デバイス・イノベーションED2018-81 MW2018-148
本研究の目的は,高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について,デバイス内部の応力・結晶歪に着目し,シ... [more] ED2018-81 MW2018-148
pp.67-70
 227件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会