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 47件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
13:30
静岡 アクトシティ浜松 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本将也間瀬 晃小嶋智輝江川孝志三好実人名工大ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
pp.6-10
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
15:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田悠介間瀬 晃滝本将也二階祐宇江川孝志三好実人名工大ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
pp.57-60
MW 2022-03-04
09:20
ONLINE オンライン開催 6Gに向けた100 GHz帯増幅器用ダイオードリニアライザの検討
青木すみれ濱田裕史山本大斗福田敦史NTTドコモ)・徐 照男高橋宏行NTT)・岡崎浩司鈴木恭宜NTTドコモMW2021-129
6Gに向けて,100 GHzを超えるサブテラヘルツ(Sub-THz)帯 を用いた高速無線通信に期待が高まっている.無線通... [more] MW2021-129
pp.100-104
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
16:50
東京 機械振興会館 [特別招待講演]100GHzアナログマルチプレクサとInPマッハツェンダ変調器を用いた400Gbps DMT伝送
山崎裕史長谷宗彦脇田 斉小木曽義弘中村政則井田 実橋本俊和野坂秀之宮本 裕NTTOCS2018-66 OPE2018-95 LQE2018-84
本講演はECOC’18ポストデッドライン発表のレビューである。>100GHz アナログマルチプレクサ(AMUX)と、80... [more] OCS2018-66 OPE2018-95 LQE2018-84
p.29
MW, WPT
(共催)
2018-04-27
14:50
東京 機械振興会館B2F 1号室 銅ピラー接続Si/GaNチップ内蔵3次元実装S帯送信モジュール
川崎健吾桑田英悟石橋秀則矢尾知博石田 清前田和弘柴田博信津留正臣森 一富下沢充弘福本 宏三菱電機WPT2018-5 MW2018-5
ここではSiGeチップとGaNチップを3次元実装した小型・高出力S帯送信モジュールの試作結果を報告する.GaNチップは送... [more] WPT2018-5 MW2018-5
pp.19-23
ED, MW
(共催)
2018-01-26
09:55
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 UHF-C帯Si-GaN直列接続型超広帯域増幅器
桑田英悟川崎健吾津波大介前田和弘山中宏治三菱電機ED2017-98 MW2017-167
マイクロ波システムの高出力化,広帯域化の要求にこたえるため,マイクロ波増幅器へのGaN適用が進められている.更に近年では... [more] ED2017-98 MW2017-167
pp.25-29
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
15:15
東京 機械振興会館 リニアドライバIC内蔵の224Gb/s DP-16QAM小型変調器モジュール開発
巽 泰三板橋直樹五十川知子河野直哉関 守弘田中啓二山路和宏藤村 康上坂勝己中林隆志小路 元荻田省一住友電工OPE2014-18 LQE2014-23
1波長あたり100 Gb/s以上の大容量伝送を実現する方式として, 多値変調方式を活用したデジタルコヒーレント伝送技術が... [more] OPE2014-18 LQE2014-23
pp.27-30
MW 2014-03-05
13:55
愛媛 愛媛大学 WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール
紫村輝之山本和也関 博昭檜枝護重平野嘉仁三菱電機MW2013-218
WCDMA端末用電力増幅器モジュール(PAM)の低コスト化を図るため、Si/GaAs混載構造を用いてシングルバンド(SB... [more] MW2013-218
pp.123-128
ED, MW
(共催)
2014-01-16
14:25
東京 機械振興会館 能動負荷を用いたデュアルバンド反射型移相器
庄司有希坂本和良伊藤康之湘南工科大ED2013-119 MW2013-184
能動負荷を用いたデュアルバンド反射型移相器の設計,試作,評価結果について述べる.能動負荷はエミッタ接地増幅器を基本構成と... [more] ED2013-119 MW2013-184
pp.53-56
ED, MW
(共催)
2014-01-16
14:50
東京 機械振興会館 阻止帯域可変型デュアルバンド低雑音差動増幅器
坂本和良庄司有希伊藤康之湘南工科大ED2013-120 MW2013-185
次世代のマルチバンド・マルチモード送受信機用に,阻止帯域可変デュアルバンド低雑音差動増幅器を開発したので報告する.帯域内... [more] ED2013-120 MW2013-185
pp.57-60
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:35
東京 機械振興会館 MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
星 拓也杉山弘樹横山春喜栗島賢二井田 実NTTED2011-130 MW2011-153
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] ED2011-130 MW2011-153
pp.63-68
ED, MW
(共催)
2012-01-12
11:00
東京 機械振興会館 0.5-um InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器
長谷宗彦野坂秀之佐野公一村田浩一栗島賢二井田 実NTTED2011-131 MW2011-154
100 Gb/s/chを超える高速・大容量光通信システムに向けて,16-QAMや64-QAMといった高度な多値変調技術の... [more] ED2011-131 MW2011-154
pp.69-74
ED, MW
(共催)
2012-01-12
11:25
東京 機械振興会館 Components in 0.5-um-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power Applications
Yves BouvierMunehiko NagataniKimikazu SanoKoichi MurataKenji KurishimaMinoru IdaNTTED2011-132 MW2011-155
Two basic components for high-speed and low-power applicatio... [more] ED2011-132 MW2011-155
pp.75-79
MW, ED
(共催)
2011-01-13
16:05
東京 機械振興会館 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器
長谷宗彦野坂秀之山中祥吾佐野公一村田浩一NTTED2010-180 MW2010-140
100 Gb/s/chを超える高速・大容量光通信システムに向けて,16-QAMや64-QAMといった高度な多値変調技術の... [more] ED2010-180 MW2010-140
pp.29-33
MW, ED
(共催)
2011-01-13
16:30
東京 機械振興会館 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC
野坂秀之長谷宗彦佐野公一村田浩一NTTED2010-181 MW2010-141
810 度の移相範囲を持つ移相器IC をInP HBT にて実現した.本移相器は,広帯域ベクトル変調器と擬似正弦波関数発... [more] ED2010-181 MW2010-141
pp.35-40
MW, ED
(共催)
2011-01-14
14:30
東京 機械振興会館 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
金谷 康天清宗山渡辺伸介山本佳嗣小坂尚希宮國晋一後藤清毅島 顕洋三菱電機ED2010-190 MW2010-150
車載ミリ波レーダーへの適用を目的として、低1/f雑音で高信頼性であるInP/GaAsSb DHBTを試作した。1/f雑音... [more] ED2010-190 MW2010-150
pp.81-86
OPE, MW
(共催)
EMT, IEE-EMT
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2010-07-30
10:50
北海道 北海道大学 学術交流会館第3・第4会議室 マルチバンド差動増幅器の利得および帯域の可変方法
伊藤康之坂本和良曹 イ櫻井圭太村田俊彦湘南工科大MW2010-60 OPE2010-45
次世代マルチバンド・マルチモード無線送受信機用に,利得および帯域可変マルチバンド差動増幅器を開発したので報告する.本増幅... [more] MW2010-60 OPE2010-45
pp.193-197
RCS, SIP
(共催)
2010-01-22
13:20
福岡 九大 Ultra-compact integrated circuits for Ku-band wireless communication system
Young-Bae ParkBo-Ra JungJeong-Gab JuJang-hyeon JeongSuk-Youb KangYoung YunKorea Maritime Univ.SIP2009-116 RCS2009-250
In this work, an ultra-compact wireless receiver chip set em... [more] SIP2009-116 RCS2009-250
pp.251-254
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:25
東京 機械振興会館 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
山田真之上澤岳史宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-182 MW2009-165
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] ED2009-182 MW2009-165
pp.43-48
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