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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:15 |
京都 | 京都大学 | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-26 SDM2014-121 |
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] | EID2014-26 SDM2014-121 pp.67-71 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| ITE-MMS, ITE-CE (共催) MRIS (連催) [詳細] |
2013-01-25 16:40 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入 ○小池真利子・仕幸英治・安藤裕一郎・新庄輝也（阪大）・山田晋也・浜屋宏平（九大）・白石誠司（阪大） MR2012-43 |
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] | MR2012-43 pp.25-28 |
| OPE | 2012-12-21 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用 ○三浦 真・藤方潤一・野口将高・岡本大典（光電子融合基盤技研）・堀川 剛（産総研）・荒川泰彦（東大） OPE2012-139 |
シリコン(Si)基板上への光電子集積技術の確立に向け，ゲルマニウム(Ge)受光器の開発とGe受光器を用いた光受信回路の検... [more] | OPE2012-139 pp.27-31 |
| SDM | 2009-06-19 13:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） SDM2009-32 |
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] | SDM2009-32 pp.33-38 |
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