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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-06-18
09:20
東京 機械振興会館 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵加藤公彦柴山茂久坂下満男田岡紀之竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2013-45
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,お... [more] SDM2013-45
pp.7-11
SDM 2011-07-04
12:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御
村上秀樹藤岡知宏大田晃生三嶋健斗東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-58
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] SDM2011-58
pp.47-50
SDM 2011-07-04
14:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2011-61
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] SDM2011-61
pp.63-68
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
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