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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-03
14:40
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Real-Time Gate Current Change Gate Driver IC to Adapt to Operating Condition Variations of SiC MOSFETs
Dibo ZhangKohei HoriiKatsuhiro HataMakoto TakamiyaUTokyoSDM2023-52 ICD2023-31
A digital gate driver IC with real-time gate current (IG) ch... [more] SDM2023-52 ICD2023-31
pp.70-73
EE, IEE-SPC
(併催)
2021-03-01
17:30
ONLINE オンライン開催 0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討
大谷圭佑中山未菜美有吉和麻松本 聡九工大EE2020-47
近年、電子機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化としてスイッチング周波数の高... [more] EE2020-47
pp.39-43
NLP, NC
(併催)
2020-01-24
13:30
沖縄 宮古島マリンターミナル ハイサイドMOS-FETゲートドライバ回路に生じるチャタリングに関する一考察
小倉拓海髙坂拓司中京大)・伊藤大輔岐阜大NLP2019-94
スイッチングコンバータ回路では,パワーMOS-FETを正常に駆動するためのハイサイドゲートドライバが主に利用されているが... [more] NLP2019-94
pp.49-52
EE, IEE-SPC
(併催)
2019-03-07
15:20
沖縄 大濱信泉記念館, 沖縄 石垣島 デッドタイム長の調整による双方向型非接触給電システムの高効率化
太田涼介星 伸一東京理科大EE2018-60
電磁誘導を用いた非接触給電システムにソフトスイッチングを適用するために,スナバキャパシタをスイッチングデバイスに並列接続... [more] EE2018-60
pp.13-18
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2018-12-23
15:30
沖縄 ホテルアトールエメラルド宮古島 パワーエレクトロニクス向け高EMI耐性を持った2.5kV絶縁耐圧400Mbps高速デジタルアイソレータの設計
加賀谷 司宮崎耕太郎高宮 真桜井貴康東大CAS2018-113 ICD2018-97 CPSY2018-79
本稿では激しいEMIノイズが発生するパワーエレクトロニクス環境でも動作可能な高速デジタルアイソレータを提案する。近年パワ... [more] CAS2018-113 ICD2018-97 CPSY2018-79
pp.141-146
EE 2018-01-29
11:45
大分 サテライトキャンパスおおいた (大分市) GaN-HEMTを用いたモバイル機器用POLの検討
齊藤 篤宮野匠平安部征哉松本 聡九工大EE2017-47
近年、電気機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化に対してはスイッチング周波数... [more] EE2017-47
pp.29-34
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-26
14:26
徳島 徳島大学 大型ディスプレイにおけるゲート遅延評価
月井千尋沈 昌勲服部励治九大EID2016-32
本研究では,アクティブマトリクス液晶ディスプレイ(AMLCD)及びアクティブマトリクス有機ELディスプレイ(AMOLED... [more] EID2016-32
pp.29-32
EE 2016-11-29
11:30
東京 機械振興会館 ゲート駆動を目的とした高周波プッシュプルLC発振器の解析
石橋尚之長崎大)・広川正彦TDK)・甲木昭彦長崎大EE2016-45
電子回路の集積化に伴い,多くの電気機器が小型化をしている.しかし、電源回路においてはリアクタンス部品が多く使われているた... [more] EE2016-45
pp.87-92
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-18
10:50
京都 京都工芸繊維大学 [招待講演]GaNパワーデバイスとGaN集積回路の展開
永井秀一パナソニックICD2015-86 CPSY2015-99
近年、高速・高温で動作し、低損失特性に優れたGaNパワー半導体デバイスが注目されている。本論分では、GaNパワーデバイス... [more] ICD2015-86 CPSY2015-99
pp.83-85
EE, WPT
(併催)
2014-11-18
10:25
京都 同志社大学 非接触給電を応用した高圧インバータ向けゲート駆動用絶縁システムの動作検証
日下佳祐加藤尚和折川幸司伊東淳一長岡技科大)・森田一徳近藤 猛明電舎WPT2014-51
本論文では三相高圧インバータのゲート駆動回路へ電力を供給する絶縁システムを提案する.本システムは,プリント基板上に構成し... [more] WPT2014-51
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:05
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
永井秀一根来 昇福田健志河井康史上田哲三田中 毅大塚信之上田大助パナソニックSDM2012-79 ICD2012-47
ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] SDM2012-79 ICD2012-47
pp.89-92
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:55
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]バースト毎の省電力化機能を備えた10G-EPON用バーストモードレーザーダイオードドライバIC
小泉 弘富樫 稔野河正史大友祐輔NTTSDM2012-80 ICD2012-48
バースト毎に省電力化する10G-EPON用バーストモード対応レーザーダイオードドライバICの性能評価結果を報告する。省電... [more] SDM2012-80 ICD2012-48
pp.93-98
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