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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NLP, MSS
(共催)
2023-03-17
15:25
長崎 長崎大学 文教キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
STDPを有するハードウェアスモールワールドニューラルネットワークのカオス応答
山口拓人佐伯勝敏佐々木芳樹日大MSS2022-106 NLP2022-151
脳機能でのカオス活動の役割はいまだに不明である.しかし,電子回路により再現し解析することで,その役割を推測可能である.
... [more]
MSS2022-106 NLP2022-151
pp.210-213
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
15:45
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Pt/Nb:SrTiO3接合における抵抗緩和現象の機構解明 ~ AIデバイス応用に向けて ~
中村駿斗青木裕雅甲斐洋行木下健太郎東京理科大ED2022-22
Metal/NbドープSrTiO$_3$ (Nb:STO)の抵抗緩和現象が,シナプス可塑性を模倣できAIデバイスに応用可... [more] ED2022-22
pp.21-24
NLP 2021-12-17
13:55
大分 J:COM ホルトホール大分 相互結合した心臓ペースメーカ細胞の解析 ~ Naチャネルに注目して ~
後田尚紀土居伸二京大NLP2021-50
心臓の収縮弛緩運動は洞房結節細胞で生成される電気信号(活動電位)によって制御されている.活動電位は生命活動の維持に重要な... [more] NLP2021-50
pp.32-37
NLP 2019-05-10
13:50
大分 J:COM ホルトホール大分 スパイク間隔時系列を用いたニューラルネットワークの構造推定
澤田和弥東京理科大)・島田 裕埼玉大)・池口 徹東京理科大NLP2019-3
本稿では,Gap結合したニューロンの数理モデルに対して,
因果推定手法のConvergent Cross Mappin... [more]
NLP2019-3
pp.13-18
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
EMCJ, IEE-EMC
(連催)
2015-12-18
11:40
愛知 豊田中央研究所 高シールド材の接合部から生じる漏洩磁界に関する実験的検討
矢矧宗一郎須賀良介上野伴希橋本 修青学大EMCJ2015-94
一般的に筐体は接合部を有することが多く,
その接合部に生じる間隙等による接触抵抗に起因する漏洩磁界が
筐体本来のシー... [more]
EMCJ2015-94
pp.25-28
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-18
10:00
北海道 室蘭工業大 2次元フォトニック結晶T字型分岐回路のシミュレーションと電磁波伝搬の制御
加藤丈政鎌田克洋加藤紀樹陳 春平穴田哲夫神奈川大)・武田重喜アンテナ技研MW2014-76 OPE2014-45 EST2014-37 MWP2014-34
次世代高度情報通信社会の実現に向けて,サブミリ波の本格的な利用のためには,電磁波発生を含めて超小型電磁波回路が必須である... [more] MW2014-76 OPE2014-45 EST2014-37 MWP2014-34
pp.169-174
OPE, OME
(共催)
2013-11-22
14:25
東京 機械振興会館 インピーダンス分光法による低分子系有機光電変換素子の特性制限要因の解析
柴 瀛村山龍平小島広孝松原亮介中村雅一奈良先端大OME2013-71 OPE2013-132
室内光エネルギーを効率よく、かつ、人間の目に暗さを感じさせずに回収する目的で、ワイドバンドギャップ半導体材料であるジビフ... [more] OME2013-71 OPE2013-132
pp.19-23
NLP, CAS
(共催)
2010-08-03
14:45
徳島 鳴門教育大学 結合Izhikevichニューロンにおける分岐現象
伊藤大輔上田哲史徳島大)・合原一幸東大CAS2010-62 NLP2010-78
Izhikevich によって提案された発火現象を引き起こす簡素なニューロンモデルは,全ての発火パターンを
示すことが... [more]
CAS2010-62 NLP2010-78
pp.159-164
NC, MBE
(併催)
2009-03-12
13:00
東京 玉川大学 クレフト電位仮説に基づいた貫壁性心室較差の再現
鈴木慎悟阪大/国立循環器病センター)・芦原貴司滋賀医科大)・原口 亮国立循環器病センター)・津元国親村上慎吾倉智嘉久阪大)・中沢一雄国立循環器病センターMBE2008-110
心筋組織の興奮伝播はギャップ結合によるものであるが,ギャップ結合による細胞間の電気的結合は,T波形成に必要な貫壁性心室較... [more] MBE2008-110
pp.83-88
SCE 2009-01-29
14:15
東京 機械振興会館 SIS接合の電流-電圧特性におけるサブギャップ電流の起源
鈴木仁研野口 卓遠藤 光松尾 宏国立天文台SCE2008-35
SIS接合のサブギャップリーク電流は,温度の低下と共に指数関数的に減少する.しかし,ある温度以下になると,リーク電流の減... [more] SCE2008-35
pp.17-21
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-15
16:15
愛知 名古屋工業大学 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価
松野文弥畠中 奨中西快之岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり,光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more]
ED, MW
(共催)
2008-01-17
11:10
東京 機械振興会館 Ledge パッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上
楊 富穎野崎眞次内田和男小泉 淳電通大ED2007-217 MW2007-148
InGaP/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar transistors)には、メサ形状を有す... [more] ED2007-217 MW2007-148
pp.61-66
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
16:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ZnO系DH接合の成長とEL発光評価
大橋俊哉山本兼司坪井貴子サンディップ ガンジル中村篤志天明二郎静岡大
酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギ... [more]
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