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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2024-03-01 09:00 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器 ○山下晋平・河村由文・中谷圭吾・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）  MW2023-186 |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器MMICの試作結果を報... [more] | MW2023-186 pp.62-65 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2023-01-18 13:40 |
愛知 | 愛知・日間賀島 ホテル浦島 | ［依頼講演］レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 ○高田徳幸（産総研） OME2022-63 |
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来し... [more] | OME2022-63 pp.1-3 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-20 17:15 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測 ○吹留博一（東北大） ED2021-58 |
GaN-HEMTの電流コラプス現象の大きな要因である表面電子捕獲は、重要な研究課題である。高い時空間分解能を有する。我々... [more] | ED2021-58 pp.48-52 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 10:40 |
東京 | 日立中研 | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 ○四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・舘野泰範・米村卓巳・古川将人・山本 洋（住友電工）・野瀬幸則・清水 聡（住友電工デバイス・イノベーション） ED2018-81 MW2018-148 |
本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シ... [more] | ED2018-81 MW2018-148 pp.67-70 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 11:05 |
東京 | 日立中研 | 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析 ○舘野泰範（住友電工）・四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・山本 洋・中林隆志（住友電工） ED2018-82 MW2018-149 |
高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高... [more] | ED2018-82 MW2018-149 pp.71-74 |
| SAT, SANE (併催) |
2016-02-16 14:35 |
広島 | 広島工業大学 | 小型衛星でXバンド合成開口レーダーを実現するための高出力RF送信機等の開発 ○渡邊宏弥（東大）・齋藤宏文（JAXA） SANE2015-109 |
齋藤宏文研究室ではX帯合成開口レーダー(SAR)を100kg級の小型衛星で実現するべく，様々なサブシステムを研究している... [more] | SANE2015-109 pp.13-18 |
| MW, ICD (共催) |
2015-03-05 10:45 |
福井 | 福井大学 | ［招待講演］高調波処理を施したS帯高効率GaN電力増幅器 ○中谷圭吾・石崎俊雄（龍谷大） MW2014-204 ICD2014-117 |
本報告ではAsia-Pacific Microwave Conference(APMC2014)で開催されたAPMC S... [more] | MW2014-204 ICD2014-117 pp.13-17 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の... [more] | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 pp.81-84 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 ○今田忠紘・吉川俊英（富士通研）・Daniel Piedra・Tomas Palacios（マサチューセッツ工科大） ED2013-117 MW2013-182 |
窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：High Electron Mobility Transist... [more] | ED2013-117 MW2013-182 pp.41-45 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| SANE | 2012-10-11 14:40 |
海外 | The SONGDO CONVENSIA, Incheon Korea | 小型衛星のダウンリンクシステムに用いる高効率GaN増幅器とプレディストーション手法の開発 ○渡邊宏弥・深見友也（東大）・富木淳史・齋藤宏文・岩切直彦（JAXA） SANE2012-83 |
A high-speed downlink communication system is required to me... [more] | SANE2012-83 pp.153-158 |
| SANE | 2012-06-29 16:10 |
茨城 | JAXA 筑波宇宙センター | 小型衛星高速ダウンリンク通信の高効率GaN増幅器の開発とプレディストーションによる非線形歪みの改善 ○渡邊宏弥（東大）・冨木淳史（JAXA）・岩切直彦・深見友也（東大）・齋藤宏文（JAXA）・中須賀真一（東大） SANE2012-40 |
さまざまな応用が可能な小型衛星が注目されており，各方面で研究開発が進んでいる．応用範囲を広げるには，小型衛星で撮像した画... [more] | SANE2012-40 pp.111-116 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 ○星 真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井 功・戸田典彦・関 昇平（OKI）・江川孝志（名工大） ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 |
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] | ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136 pp.139-144 |
| ED | 2009-06-12 11:25 |
東京 | 東京工業大学 | GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ○山田敦史・牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2009-48 |
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である．しかしながら... [more] | ED2009-48 pp.63-67 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝） ED2008-204 MW2008-169 |
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] | ED2008-204 MW2008-169 pp.35-40 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 14:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平（OKI） ED2008-105 SDM2008-124 |
[more] | ED2008-105 SDM2008-124 pp.341-345 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] | ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208 |
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