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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:30 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 |
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] | ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 pp.6-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 17:10 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 pp.44-47 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ○飯田悠介・間瀬 晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] | ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 pp.57-60 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 ○中林泰希・山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 pp.59-62 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 ○山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 |
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] | ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 pp.17-20 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] | ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 pp.25-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 pp.53-56 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 10:50 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性 ○石原耕史・近藤保成・松原大幸・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 |
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] | ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16 pp.1-6 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 17:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 |
[more] | ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 pp.57-61 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 17:35 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化物半導体太陽電池の集光特性 ○森 美貴子・山本翔太・桑原洋介・藤井崇裕・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 |
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] | ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110 pp.71-75 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製 ○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 |
MOVPE 法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した．試料はn-GaN上に光吸収層Ga... [more] | ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45 pp.163-167 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、... [more] | ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 pp.179-183 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大） ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 |
高In 組成GaInN は高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LD への応用... [more] | ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119 pp.57-60 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振 ○橋本 玲・櫛部光弘・江崎瑞仙（東芝/東大）・西岡政雄・荒川泰彦（東大） OPE2007-21 LQE2007-22 |
GaAs基板上の量子ドットレーザは，温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から，高性能な光通信用1.3μ... [more] | OPE2007-21 LQE2007-22 pp.23-28 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) |
2007-01-29 13:25 |
大阪 | 阪大コンベンションセンター | ［招待講演］1.3μm帯GaInNAs-TQWリッジ型レーザ ○中原宏治・足立光一朗・葛西淳一・北谷 健・青木雅博（日立） PN2006-54 OPE2006-136 LQE2006-125 |
理想的なバンドラインナップを有するGaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高速化を目的として三重量子井戸(TQW: tr... [more] | PN2006-54 OPE2006-136 LQE2006-125 pp.41-44 |
| LQE | 2004-12-03 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振 ○山田みつき・阿南隆由・畠山 大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西 研一（NEC） |
GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ（VCSEL）は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源とし... [more] | LQE2004-122 pp.21-26 |
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