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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 11:45 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 ○諸岡 哲・石川貴之・小村政則・加藤竜也・小山幸紀・韓 業飛・菅原陽平・桑原大輔・新屋敷悠介・村山昭之・西山勝哉・杉前紀久子・小倉達郎・竹田 裕・刈谷奈由太・合木悠佑・小沼将大・神谷優太・山下博幸・滋賀秀裕・板垣清太郎・田中里英子・前田高志・大谷紀雄・藤原 実（キオクシア）  SDM2022-36 ICD2022-4 |
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セ... [more] | SDM2022-36 ICD2022-4 p.12 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| SDM | 2021-10-21 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2021-46 |
[more] | SDM2021-46 pp.8-11 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大） ED2019-104 MW2019-138 |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] | ED2019-104 MW2019-138 pp.55-58 |
| MBE, NC (併催) |
2018-03-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 神経細胞のシミュレーションにおける膜電位のダイナミクスに与える浮動小数点数の精度の影響 ○藤田一寿（津山高専/電通大）・樫森与志喜（電通大） NC2017-90 |
近年，神経系の大規模シミュレーションもしくはリアルタイムシミュレーションが盛んに試みられている．このような試みでは，スー... [more] | NC2017-90 pp.133-138 |
| CQ | 2015-07-06 11:10 |
奈良 | 奈良先端技術大学 | フローティングコンテンツ配信制御の提案および安定性解析 ○萩原 涼（関西学院大）・小倉一峰・山崎康広（NEC）・大崎博之（関西学院大） CQ2015-21 |
本稿では、特別なインフラストラクチャを必要としない一時的なコンテンツ (フローティングコンテンツ) のための配信制御 P... [more] | CQ2015-21 pp.7-12 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:00 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作 ○平本俊郎・上田晃頌・鄭 承旻・水谷朋子・更屋拓哉（東大） SDM2014-71 ICD2014-40 |
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した．このデバイスでは，オン時にVthが低下し，オフ時に... [more] | SDM2014-71 ICD2014-40 pp.51-54 |
| OPE (共催) OCS, OFT (併催) [詳細] |
2014-02-28 08:30 |
沖縄 | ネストホテル 那覇 | V溝付フェルールとピン付割りスリーブを適用したマルチコアファイバコネクタ ○齊藤浩太郎・松井 隆・中島和秀・倉嶋利雄（NTT） OFT2013-66 OPE2013-216 |
V溝付フェルールとピン付割りスリーブを適用することで、従来コネクタと同等のフロート構造を維持しつつ、アダプタに対するフェ... [more] | OFT2013-66 OPE2013-216 pp.63-66 |
| NS, CQ, ICM, NV (併催) |
2013-11-14 13:45 |
長崎 | 福江文化会館(五島列島) | 特定エリア内における情報共有の配信制御方式 ○小倉一峰・山崎康広・藤田範人（NEC） CQ2013-53 |
近年、災害時などの情報共有手段として、ネットワークの切断が断続的に発生する不安定なネットワークにおいても情報伝達が可能な... [more] | CQ2013-53 pp.13-17 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 ○森 貴之・井田次郎（金沢工大） SDM2013-65 ICD2013-47 |
フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド... [more] | SDM2013-65 ICD2013-47 pp.1-6 |
| SCE | 2012-07-19 11:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | SFQ回路を用いた2ビット・ビットスライス半精度浮動小数点乗算器の設計 ○成瀬遥平（京大）・鬼頭信貴（中京大）・高木直史（京大） SCE2012-12 |
単一磁束量子(SFQ)回路は，低消費電力性，高速性に優れ，次世代デバイスとして実用化されることが期待されている． SF... [more] |
SCE2012-12 pp.19-23 |
| SDM | 2012-06-21 09:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2012-45 |
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にし... [more] | SDM2012-45 pp.13-16 |
| SDM | 2012-06-21 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 ○上武央季（奈良先端大/JST）・小原孝介（奈良先端大）・上沼睦典・鄭 彬・石河泰明（奈良先端大/JST）・山下一郎（奈良先端大/JST/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2012-46 |
フラッシュメモリの記憶デバイスにあたるフローティングゲートメモリの中でも，電荷保持層がナノドットの二次元配列であるナノド... [more] | SDM2012-46 pp.17-21 |
| EMCJ, IEE-EMC (連催) |
2011-12-09 11:35 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 動的条件下での浮動金属体における静電荷発生と放電時のインパルス電磁界極性について（その2） ○本田昌實（インパルス物理研） EMCJ2011-101 |
帯電した人が電子装置の近傍を通過するだけで、この装置で誤動作が起こる事を経験している。この問題を解明する為、筆者等は基礎... [more] | EMCJ2011-101 pp.41-46 |
| EMD, R (共催) |
2011-02-18 15:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 開放故障に伴う不安定論理の固定化 ○安富泰輝・眞田 克（高知工科大） R2010-47 EMD2010-148 |
不安定な出力論理を有するフローティングゲート故障に対して、出力論理値を固定化する実験を行った．実験はゲートオープン故障を... [more] | R2010-47 EMD2010-148 pp.31-36 |
| RECONF | 2010-09-16 15:25 |
静岡 | 静岡大学(工学部2号館) | 多倍長浮動小数点用リコンフィギャラブルアクセラレータHP-DSFPのアプリケーション評価 ○吉岡佑記・川本智之・伴 大雅・谷川一哉・弘中哲夫（広島市大） RECONF2010-25 |
近年，流体解析計算や素粒子反応計算で用いられるCG 法や，ファインマン・ループ積分など科学技術計算の分野において高精度な... [more] | RECONF2010-25 pp.43-48 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The optimum physical targets of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the extended sidewall control gate (ESCG) structure ○Moon-Sik Seo（Tohoku Univ.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-101 SDM2010-102 |
Recently, the 3-dimensional vertical Floating Gate (FG) NAND... [more] | ED2010-101 SDM2010-102 pp.225-230 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| MVE | 2010-03-12 13:50 |
神奈川 | 東芝科学館 | ExFloasion: 多層空中像を用いた複合現実展示システム ○中島統太郎・和田拓朗（東大）・筧 康明（慶大）・杉田 馨・山内康晋（東芝）・苗村 健（東大） MVE2009-136 |
近年,ミュージアムにおける展示支援の手法として，新たな情報提示の検討が始められている． 中でも，展示物にヴァーチャルな... [more] |
MVE2009-136 pp.35-40 |
| OME | 2010-01-12 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御 ○中川 隆・横田知之・関谷 毅・竹内 健（東大）・Ute Zschieschang・Hagen Klauk（MPI）・染谷隆夫（東大） OME2009-67 |
自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁層に用いることで，低電圧駆動フローティング（浮遊）ゲート型有機メモリトランジスタを作製... [more] | OME2009-67 pp.7-11 |
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