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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2023-12-08 09:00 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 自己ジュール熱支援型電界放射陰極の特性評価 ○小田陸人・根尾陽一郎・文 宗鉉（静岡大）  ED2023-46 |
従来、電界放射は nA～μA の放出電流で使用される事は一般的であるが, 更なる高輝度化のため，エネルギー分散が小さく，... [more] | ED2023-46 pp.31-34 |
| ED | 2019-11-21 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ga液体金属電界放射陰極の特性評価 ○高藤祐太・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2019-63 |
液体金属薄膜を電界放射陰極先端に被覆する事で，テーラーコーン形成に必要な電界強度が電界放出(FE)に必要な電界を下回り安... [more] | ED2019-63 pp.17-20 |
| ED | 2017-10-26 16:20 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | 炭化タングステンを用いた低仕事関数電界放射陰極に関する研究 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2017-42 |
走査型電子顕微鏡(SEM)において高輝度カソードとして広く用いられているタングステン電界放射陰極(W-FE)は，高価であ... [more] | ED2017-42 pp.27-29 |
| ED | 2016-10-25 13:00 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | トリウム被覆されたW電界放射陰極の電流放出特性 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎（静岡大）・大野輝昭（テクネックス工房）・三村秀典（静岡大） ED2016-43 |
タングステン電界放射陰極(W-FE)は，タングステン熱放射陰極と比較して放出電子のエネルギー分布が狭く高い輝度を有するカ... [more] | ED2016-43 pp.1-4 |
| ED | 2016-10-25 15:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 ○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ） ED2016-47 |
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] | ED2016-47 pp.17-20 |
| CPM | 2013-10-25 11:25 |
新潟 | 新潟大ときめいと | 絶縁膜中に分散させたCNT冷陰極の開発 ○浅田裕司・山上朋彦・上村喜一（信州大） CPM2013-106 |
ナノカーボン材料を用いた簡便なプロセスによる冷陰極の開発を目的に，絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構... [more] | CPM2013-106 pp.63-66 |
| ED | 2013-10-22 16:30 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | 希土類酸化物及び遷移金属酸化物で修飾したW電界放射陰極の検討 ～ PEEMとFEMによる検討 ～ ○中根英章・武田紘己（室蘭工大）・川久保貴史（香川高専） ED2013-55 |
W電界放射陰極の先端に希土類酸化物や遷移金属酸化物を拡散してモノレイヤを形成すると先端のW(100)面の仕事関数が低減し... [more] | ED2013-55 pp.19-22 |
| ED | 2013-10-23 09:00 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | シリコン冷陰極からの光支援による電子放射 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）・吉田知也・長尾昌善（産総研） ED2013-57 |
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン（nc-Si... [more] | ED2013-57 pp.29-32 |
| CPM | 2013-08-01 15:25 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 横方向フィールドエミッションランプにおけるカソード電極でのCNT の利用 ○三浦 悠・佐藤知正・平手孝士（神奈川大） CPM2013-44 |
導電性のあるZnO ナノロッド(NRs)アレイを用いた横方向電界放出型発光デバイスにおいて，エミッションポイントの増加と... [more] | CPM2013-44 pp.25-28 |
| CPM | 2012-10-27 11:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討 ○浅田裕司・山下将弘・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2012-109 |
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に，絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し，CNT濃... [more] | CPM2012-109 pp.87-90 |
| ED | 2010-10-25 13:50 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係 ○工藤唯義（筑波大/国際基督教大）・増澤智昭・佐藤祐介（国際基督教大）・齋藤市太郎（国際基督教大/ケンブリッジ大）・山田貴壽（産総研）・Angel Koh・Daniel Chua（シンガポール国立大）・吉野輝雄・田 旺帝（国際基督教大）・山崎 聡（筑波大/産総研）・岡野 健（国際基督教大） ED2010-130 |
尿素，ジメチル尿素という２種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて，飛行時間二次イオン質量分析(TOF... [more] | ED2010-130 pp.11-15 |
| CPM | 2010-07-30 10:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出 斉藤裕史・山上朋彦・林部林平・大池 匠・山下将弘・○上村喜一（信州大） CPM2010-39 |
陰極表面に対して水平に配置されたカーボンナノチューブ（CNT）からの電界電子放出特性を検討するために無限長直線電荷と同時... [more] | CPM2010-39 pp.45-48 |
| CPM | 2009-10-29 16:15 |
富山 | 富山県立大学 | 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価 ○斉藤裕史・萩野達也・松本純樹・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2009-93 |
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] | CPM2009-93 pp.17-20 |
| ED | 2009-10-15 15:05 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 | 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 ○後藤康仁・池田啓太・宮田雄高・遠藤恵介・辻 博司（京大） ED2009-119 |
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、 三極管構成でその電子放出... [more] |
ED2009-119 pp.17-20 |
| CPM | 2008-10-31 11:20 |
新潟 | 新潟大学 | 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源 ○斉藤裕史・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2008-87 |
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させ... [more] | CPM2008-87 pp.71-74 |
| ED | 2008-08-04 13:00 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | ネガティブ陰極ドライビング駆動によるカーボンナノチューブフィールドエミッタの電界放出特性の数値的解析 ○文 宗鉉・中本正幸（静岡大） ED2008-109 |
CST Particle Studioシミュレーションソフトウェアを利用してネガティブ陰極駆動によるカーボンナノチューブ... [more] | ED2008-109 pp.1-4 |
| ED | 2008-08-04 14:15 |
静岡 | 静岡大学浜松キャンパス | シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性 ○嶋脇秀隆・木田 庸（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・村上勝久・若家富士夫・高井幹夫（阪大） ED2008-112 |
極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン（nc-Si）からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギ... [more] | ED2008-112 pp.15-20 |
| ED | 2007-08-03 13:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 銀杏会館 | 多層カーボンナノチューブ先端五員環上での単一ガス分子の挙動 ○畑 浩一・藪下綾介・岸本芳樹（三重大） ED2007-137 |
多層カーボンナノチューブ（CNT）清浄表面からの電界電子放出像では，チューブ先端に導入された五員環および，これら五員環上... [more] | ED2007-137 pp.5-9 |
| ED | 2005-12-22 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術 ○後藤康仁・辻 博司・石川順三（京大） |
S-Kチャートに対して描かれた等仕事関数線、等曲率半径線に対する検討を行った。異なる$k$の値(巨視的な電圧電界変換係数... [more] | ED2005-184 pp.11-14 |
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