| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT | 2023-11-10 14:50 |
東京 | 八丈町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］学生手作りストレートラジオによるアナログAM放送受信 ○大平 孝（豊橋技科大）  WPT2023-29 |
ワイヤレス電力伝送はキロヘルツ帯のみならずメガヘルツ帯やギガヘルツ帯へスペクトル範囲が広がりつつある。高周波帯を用いるワ... [more] | WPT2023-29 p.32 |
| OME | 2023-11-01 15:10 |
兵庫 | じばさんびる 502会議室（姫路） | ［招待講演］金属／絶縁体／有機半導体／金属接合における熱平衡および非熱平衡型電荷抽出 ○田島裕之・小田丈志（兵庫県立大）・角屋智史（甲南大） OME2023-47 |
本論文では金属/絶縁体/有機半導体/金属（MIOM）型接合コンデンサーが示す非熱平衡型電荷抽出の概念と実験的証拠について... [more] | OME2023-47 pp.21-26 |
| SDM | 2023-10-13 17:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大） SDM2023-61 |
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] | SDM2023-61 pp.46-49 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| CAS, ICTSSL (共催) |
2021-01-28 09:55 |
ONLINE | オンライン開催 | LSTMのための非線形FETトランジスタの微分方程式と数値近似について ○何 志輝・王 成・洪 沫勇・小澤和也・磯貝海斗・岡崎秀晃（湘南工科大） CAS2020-39 ICTSSL2020-24 |
本報告では, 長短期記憶（LSTM）ニューラルネットワーク用の非線形電界効果トランジスタの微分方程式と数値近似を構築する... [more] | CAS2020-39 ICTSSL2020-24 pp.7-10 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-07 14:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研） SDM2019-37 ICD2019-2 |
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実... [more] |
SDM2019-37 ICD2019-2 pp.7-10 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2018-06-25 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 ○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大） SDM2018-21 |
ダイヤモンドと絶縁膜界面の2次元正孔ガスを利用した電界効果トランジスタを利用して、高耐圧（～2000 V）の電界効果トラ... [more] | SDM2018-21 pp.23-28 |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) DC (併催) [詳細] |
2017-07-26 16:15 |
秋田 | 秋田アトリオンビル（秋田） | デジタル温度電圧センサにおける温度2点補正手法の検討 ○三宅庸資・佐藤康夫・梶原誠司（九工大） DC2017-19 |
VLSI稼働時のチップの温度と電圧を測定するため，リングオシレータ（RO: Ring Oscillator）を利用したデ... [more] | DC2017-19 pp.19-24 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］フレキシブル有機トランジスタによる差動増幅回路実現に向けた検討 ○杉山真弘・植村隆文・吉本秀輔・秋山実邦子・荒木徹平・関谷 毅（阪大） ICD2016-78 CPSY2016-84 |
本研究では，薄膜上に形成されたフレキシブル有機電界効果トランジスタ (Organic Field Effect Tran... [more] | ICD2016-78 CPSY2016-84 p.83 |
| SDM | 2016-06-29 15:25 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用 ○上野啓司（埼玉大） SDM2016-43 |
グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが，その一方で，同様な積層構造を... [more] | SDM2016-43 pp.59-64 |
| SDM | 2016-06-29 16:20 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 ○川那子高暢・小田俊理（東工大） SDM2016-45 |
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] | SDM2016-45 pp.69-74 |
| SDM | 2016-01-28 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 ○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚（東大）・上野啓司（埼玉大） SDM2015-123 |
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] | SDM2015-123 pp.13-16 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| SDM | 2015-11-06 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション ○相馬聡文・田中未来・市原圭祐・迫田翔太郎・笹岡健二・小川真人（神戸大） SDM2015-89 |
シリコンMOSFETの微細化に伴う発熱等の問題を克服するために，新材料，新構造， 新制御機構が様々に提案されている．本... [more] |
SDM2015-89 pp.29-34 |
| OME | 2015-10-23 15:50 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化 ○中道諒介・永瀬 隆・小林隆史（阪府大）・貞光雄一（日本化薬）・内藤裕義（阪府大） OME2015-58 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の電気的特性（移動度、閾値電圧）の制御はOFETの実用化に向け重要である。OFETの... [more] | OME2015-58 pp.43-46 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| ED | 2014-12-22 15:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2014-102 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては，ゲート長Lg の短縮に加えて，短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] | ED2014-102 pp.21-26 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]