| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2012-06-21 17:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大） SDM2012-61 |
金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング（FLP）され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形... [more] | SDM2012-61 pp.97-102 |
| SDM | 2009-06-19 13:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） SDM2009-32 |
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] | SDM2009-32 pp.33-38 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～ ○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林 岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] | SDM2005-149 ICD2005-88 pp.37-42 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]