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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-06-22
13:10
ONLINE オンライン開催 [記念講演]イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2021-22
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2021-22
pp.1-6
SDM 2020-10-22
14:50
ONLINE オンライン開催 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2020-19
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2020-19
pp.25-29
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
15:25
愛知 豊橋技科大VBL GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価
堀切文正成田好伸吉田丈洋サイオクスED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-I... [more] ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
pp.19-22
SDM 2016-06-29
10:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係
上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝SDM2016-32
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] SDM2016-32
pp.1-4
ED 2011-07-30
10:15
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化
石田瑛之吉田洋大籾山克章鈴木貴彦廣瀬文彦山形大ED2011-49
色素増感太陽電池の発電効率はTiO2層上の色素の吸着量に依存する。これまで、色素吸着量を増やすために、高い比表面積を持つ... [more] ED2011-49
pp.59-62
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-29
09:55
高知 高知工科大学 研究教育棟B 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
松田時宜古田 守平松孝浩古田 寛平尾 孝高知工科大EID2010-35
薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶... [more] EID2010-35
pp.87-90
US 2010-09-29
15:15
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 SiO2/LiNbO3構造SAWデバイスにおけるSiO2膜物性と周波数温度係数の相関性の検討
松田 聡三浦道雄松田隆志上田政則佐藤良夫太陽誘電)・橋本研也千葉大US2010-53
SiO2/LiNbO3構造を用いた広帯域温度補償のSAWデバイスにおいて、FT-IR (Fourier-transfor... [more] US2010-53
pp.29-32
OME 2008-11-07
13:00
長野 セイコーエプソン(株) ポリイミドをターゲットとして作製した高周波スパッタ高分子薄膜 ~ 成膜時の電力と圧力が分子構造と基板との密着性に与える影響 ~
上村彰宏岩森 暁金沢大)・西山逸雄ダイプラ・ウィンテスOME2008-58
 [more] OME2008-58
pp.1-5
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