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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SS 2019-03-04
10:40
沖縄 沖縄産業支援センター 余裕時間の考慮によりマルチプロセッサリアルタイムシステムのヒープメモリ消費量を削減する改良LLFスケジューリング
町頭優輝中田明夫広島市大SS2018-55
リアルタイム組込みシステムは,複数の入力に対する応答性を向上させるためにマルチタスクシステムで設計され,また低消費電力化... [more] SS2018-55
pp.19-24
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
IPSJ-ARC, IPSJ-SLDM
(共催)
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
(連催) [詳細]
2018-01-18
17:00
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 Erlangからの高位合成のためのメモリ分散アーキテクチャ
東 香実浜名将輝若林秀和石浦菜岐佐関西学院大)・吉田信明神原弘之京都高度技研VLD2017-75 CPSY2017-119 RECONF2017-63
本稿では, Erlang からの高位合成のためのメモリ分散アーキテクチャを提案する. 竹林らが提案した Erlang サ... [more] VLD2017-75 CPSY2017-119 RECONF2017-63
pp.77-82
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
SDM 2017-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立SDM2016-134
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] SDM2016-134
pp.17-20
RECONF 2016-05-19
17:30
神奈川 富士通研究所 [招待講演]IoT社会を支える重要技術の動向
松井俊浩関根 久林 秀樹大窪宏明砂口洋毅松尾直之佐藤義竜NEDO TSCRECONF2016-16
来たるべきIoT社会におけるキーテクノロジを不揮発メモリ、センサー、組込みソフトウェア、サイバーセキュリティと考え、それ... [more] RECONF2016-16
pp.77-82
ICD 2016-04-14
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大ICD2016-6
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] ICD2016-6
pp.27-32
ICD 2016-04-15
10:55
東京 機械振興会館 [招待講演]車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発
中西 悟三谷秀徳松原 謙吉田 浩河野隆司帯刀恭彦伊藤 孝倉藤 崇野口健二日高秀人山内忠明ルネサス エレクトロニクスICD2016-15
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] ICD2016-15
pp.77-81
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-17
10:40
京都 京都工芸繊維大学 MIPSベースプロセッサのTLB機構の改良による高性能化
武藤 郡佐々木敬泰深澤祐樹近藤利夫三重大ICD2015-65 CPSY2015-78
異種のプロセッサコアを複数搭載したヘテロジニアスマルチコアプロセッサ(HMP)の研究開発が広く行われているが,性能や特徴... [more] ICD2015-65 CPSY2015-78
pp.13-18
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発
早川幸夫姫野敦史安原隆太郎藤井 覚伊藤 理川島良男池田雄一郎川原昭文河合 賢魏 志強村岡俊作島川一彦三河 巧米田慎一パナソニックSDM2015-57 ICD2015-26
28nm混載メモリ向けとして、耐熱性に優れ、フィラメント制御が可能なTaOx ReRAM素子を提案する。その為に、我々は... [more] SDM2015-57 ICD2015-26
pp.1-5
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
ICD 2015-04-16
14:25
長野 信州大学 [招待講演]車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発
棟安 誠帯刀恭彦中野全也伊藤 孝河野隆司野口健二日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクスICD2015-4
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、28nmプロセスのSG-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] ICD2015-4
pp.15-19
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
10:00
東京 機械振興会館 SIMD命令拡張による高速化の検討 ~ プロセッサ設計コンテストを題材として ~
平石康祐橋本瑛大大津金光大川 猛横田隆史宇都宮大ICD2014-73 CPSY2014-85
FPGA (Field Programmable Gate Array) 上のソフトコアプロセッサを用いてシステムを開発... [more] ICD2014-73 CPSY2014-85
pp.1-6
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
15:15
東京 機械振興会館 [ポスター講演]不揮発性メモリ搭載マイコンの低電力化を目的とした透過型命令キャッシュの提案と評価
金 多厚肥田 格浅井哲也本村真人北大ICD2014-82 CPSY2014-94
スマートソサイエティを支える基盤技術としてセンサネットワークが注目されている中、センサノード等で使われるマイコンの低消費... [more] ICD2014-82 CPSY2014-94
p.43
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD 2014-04-17
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]Unified Memory Extensionによりランダムリード性能66.3 KIOPSシーケンシャルリード性能690MB/sを達成するUniversal Flash Storageデバイスコントローラ
吉井謙一郎渡邊幸之介近藤伸宏前田賢一藤澤俊雄弘原海潤治宮下大輔香西昌平畝川康夫藤井伸介青山琢磨田村隆之国松 敦大脇幸人東芝ICD2014-2
Unified Memory (UM)を使った世界初の組込み式NAND型フラッシュメモリモジュール向けデバイスコントロー... [more] ICD2014-2
pp.3-8
SS, MSS
(共催)
2014-01-30
14:25
愛知 豊田中央研究所 近似によるパラメトリック実行時間解析の効率化手法およびその評価
杉原圭佑中田明夫広島市大MSS2013-54 SS2013-51
実時間制約を持つソフトウェアを異なる実行環境で再利用するためには,プロセッサの各命令の実行時間やプログラムのループ回数な... [more] MSS2013-54 SS2013-51
pp.17-22
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2013-77 ICD2013-59
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
SDM 2012-03-05
10:50
東京 機械振興会館 Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
久米一平井上尚也肱岡健一郎川原 潤武田晃一古武直也白井浩樹風間賢也桑原愼一渡會雅敏佐甲 隆高橋寿史小倉 卓泰地稔二笠間佳子ルネサス エレクトロニクスSDM2011-177
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] SDM2011-177
pp.7-11
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