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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
16:35
愛媛 愛媛県男女共同参画センター Trace Bufferを用いたNon-stop embedded OS
宍戸 開山﨑信行慶大
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
13:35
熊本 熊本市 [招待講演]原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM
辻 幸秀白 旭宮村 信阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸NEC)・杉井信之日立)・波田博光NEC
原子スイッチをコンフィグレーション用のスイッチとして用いた不揮発性論理集積回路(NPL)、および、メモリとして用いたRO... [more] SDM2015-61 ICD2015-30
pp.19-24
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2011-11-30
10:55
宮崎 ニューウェルシティ宮崎 密結合メモリを利用したリアルタイムタスクの実行時間変動の抑制
請園智玲劉 遠哲田中清史北陸先端大
リアルタイムシステムにおいて,各タスクの実行時間を正確に予測することは,
タスクスケジューラに大きなヒントを与えること... [more]
CPSY2011-53
pp.59-64
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
15:05
富山 富山県民会館 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM
石井雄一郎藤原英弘新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・千ヶ崎英夫黒宮 修佐伯 宰ルネサスデザイン)・宮西篤史木原雄治ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する.提案するアクティブ... [more] SDM2011-92 ICD2011-60
pp.109-114
DC 2009-06-19
10:45
東京 機械振興会館 SoC向けMBISTにおける歩留りと面積のトレードオフに関する一考察
新井雅之遠藤辰朗岩崎一彦首都大東京)・中尾教伸鈴木 巌ルネサステクノロジ
本研究では,メモリBIST回路の面積削減手法,および歩留りと面積を考慮したSRAMへの冗長割り当てアルゴリズムの有効性に... [more] DC2009-11
pp.7-12
ICD 2008-04-18
13:55
東京 機械振興会館 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
根橋竜介崎村 昇杉林直彦本庄弘明齊藤信作加藤有光笠井直記NEC
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] ICD2008-12
pp.63-68
ICD 2008-04-18
14:20
東京 機械振興会館 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明斉藤信作加藤有光笠井直記NEC
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] ICD2008-13
pp.69-74
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-26
17:05
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 電源電圧と周波数の動的制御によるH.264/AVC デコーダの低消費電力化
坂田義典川上健太郎川口 博吉本雅彦神戸大
動的電圧制御(DVS)を専用ハードウェアに適用するために,エラスティックパイプラインアーキテクチャを提案し,フレームバッ... [more] ICD2007-52
pp.89-94
ICD 2007-04-12
09:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 混載向け高速MRAMセル技術
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明志村健一笠井直記NEC
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍... [more] ICD2007-1
pp.1-5
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD 2006-04-13
16:40
大分 大分大学 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more] ICD2006-9
p.49
ICD 2005-04-14
13:00
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター [招待講演]デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ~ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ~
山内寛行松下電器
本論文では、デジタル家電向けシステムLSI用の混載メモリを、実例に基づき分類し、それぞれの現状と将来展望を簡単に述べる。... [more] ICD2005-6
pp.29-34
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