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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）  SDM2022-74 |
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] | SDM2022-74 p.49 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTの400Vでの動的挙動とトラップ特性の相関 ○今田忠紘・吉川俊英（富士通研）・Daniel Piedra・Tomas Palacios（マサチューセッツ工科大） ED2013-117 MW2013-182 |
窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：High Electron Mobility Transist... [more] | ED2013-117 MW2013-182 pp.41-45 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| MW, WPT (併催) |
2012-05-25 09:25 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） | Electron Devices Fabricated On Diamond Film Surface For Application To Hard Electronics ○Young Yun・Sung-Jo Han・Eui-Hoon Jang・Jang-Hyeon Jeong・Ki-Joon Son（Korea Maritime Univ.） MW2012-13 |
In this paper, basic electrical properties of semiconducting... [more] | MW2012-13 pp.21-22 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 14:35 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2011-144 SDM2011-161 |
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] | ED2011-144 SDM2011-161 pp.13-18 |
| SDM | 2011-12-16 14:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング ○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2011-142 |
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)のオーバーシュートドレイン電流の測定を行い、ターンオン過渡特性の... [more] | SDM2011-142 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 10:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2010-203 SDM2010-238 |
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] | ED2010-203 SDM2010-238 pp.63-66 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 11:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） ED2010-204 SDM2010-239 |
あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more] | ED2010-204 SDM2010-239 pp.67-72 |
| ITE-IDY, EID (連催) |
2010-07-23 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | PDP保護膜における励起、脱励起過程 ○末貞和真・宮本真太郎・梶山博司（広島大） EID2010-15 |
VUV 照射や放電に対する MgO 保護膜の応答性はカソードルミネッセンス ( CL ) 測定, サーモルミネッセンス ... [more] | EID2010-15 pp.17-20 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-10-30 10:00 |
宮城 | 東北大学 | プラズマディスプレイ用電極保護膜の高性能化に向けた計算機シミュレーション ○芹澤和実・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・末貞和真・北垣昌規（広島大）・山下 格・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大）・宮本 明（東北大） SDM2009-125 |
プラズマディスプレイの低消費電力化のために、二次電子放出能の高いMgO保護膜の設計が求められる。しかし一般に表面の微細構... [more] | SDM2009-125 pp.39-40 |
| OME | 2008-10-31 15:40 |
東京 | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ | 有機トランジスタの電子スピン共鳴 ～ キャリアダイナミクス解明への微視的アプローチ ～ ○松井弘之（東大/産総研）・長谷川達生（産総研） OME2008-56 |
有機トランジスタの素子動作を明らかにするため，ゲート電界によりチャネル内に蓄積したキャリアの伝導機構を電子スピン共鳴（E... [more] | OME2008-56 pp.31-36 |
| SDM | 2008-10-10 15:45 |
宮城 | 東北大学 | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝） SDM2008-166 |
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] | SDM2008-166 pp.63-68 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-10-10 11:05 |
秋田 | 秋田県産業技術総合センター 秋田県高度技術研究所 | 垂直磁気記録用ヘッド記録磁極先端の微細磁区構造と磁束分布 ○平田 京（TDK）・金 中正（沖縄科学技研基盤整備機構）・石田洋一（TDK）・葛西裕人（日立）・進藤大輔・高橋 研（東北大）・外村 彰（沖縄科学技研基盤整備機構/日立） MR2008-28 |
電子線ホログラフィーによって垂直磁気記録用ヘッドの記録磁極先端の磁区構造ならびに磁化過程を観察し，磁極材料特性との関係に... [more] | MR2008-28 pp.55-60 |
| OME | 2007-05-18 13:50 |
東京 | 電気倶楽部 | 交流電界発光によるAu電極を用いた有機FET内への電子注入現象の観測 ○大嶋優記・金 英輝・林 銀珠・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2007-11 |
テトラセンFETのソース・ドレインAu電極に対して交流電圧を印加することで、電子・ホールが材料内へ交互に注入され、それら... [more] | OME2007-11 pp.11-15 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 11:00 |
京都 | 京都大学 | MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性 ○中山正昭・田中浩康（阪市大）・安藤雅信・上村俊也（豊田合成） |
[more] | ED2006-164 CPM2006-101 LQE2006-68 pp.69-73 |
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