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 36件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2023-08-18
14:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価 ~ 光電子シナプスデバイス実現に向けて ~
佐田 晋鄭 雨萌木下健太郎東京理科大ED2023-11
Sn ドープ In_2O_3(ITO)/Nb:SrTiO_3(NSTO)接合は電圧印加により、光誘起電流の緩和時定数の制... [more] ED2023-11
pp.6-9
CPM, ED, SDM
(共催)
2023-05-19
14:35
愛知 名古屋工大
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
近赤外自由電子レーザ照射によってシリコン基板上に形成された微細周期構造(LIPSS)
星野陽太野平真義岩田展幸日大ED2023-3 CPM2023-3 SDM2023-20
近赤外自由電子レーザ照射によってLIPSSの形成を試みた。FELを低抵抗N型Si基板に集光照射し実験を行った。非線形結晶... [more] ED2023-3 CPM2023-3 SDM2023-20
pp.11-15
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
15:00
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長
角田 功高倉健一郎熊本高専SDM2023-15 OME2023-15
本研究室では,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している.金属誘起横方向成長は,金属材料を非... [more] SDM2023-15 OME2023-15
pp.55-58
CPM 2018-08-10
11:05
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典千田陽介増田悠右氏家夏樹遠田義晴弘前大CPM2018-18
20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] CPM2018-18
pp.47-52
CPM 2016-11-18
16:40
石川 金沢工大 扇が丘キャンパス 自由電子レーザー照射によってカイラリティ制御された面内配向単層カーボンナノチューブの電気特性
川口大貴保延賢人石川翔梧永田知子山本 寛・○岩田展幸日大CPM2016-68
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びSiO2/Si基板を用いて... [more] CPM2016-68
pp.35-40
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
SDM 2016-06-29
15:05
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果
速水脩平豊田智史福田勝利京大)・菅谷英生パナソニック)・森田将史中田明良内本喜晴松原英一郎京大SDM2016-42
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラ... [more] SDM2016-42
pp.53-58
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長
草野欽太工藤和樹塘内功大坂口大成茂籐健太熊本高専)・本山慎一楠田 豊古田真浩サムコ)・中 庸行沼田朋子堀場製作所)・高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2016-8 OME2016-8
シートコンピュータ等への応用を目指し,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した.非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] SDM2016-8 OME2016-8
pp.31-34
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:30
愛知 豊橋技科大VBL棟 自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性
川口大貴吉田圭佑小林弥生春宮清之介永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27
ホットウォール型(Hot Wall Type : HW-)CVD装置と波長800nmの自由電子レーザー(Free Ele... [more] ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27
pp.45-50
OFT, PEM
(併催)
2015-05-21
14:25
石川 金沢勤労者プラザ 耐リフロー性を有する樹脂レンズの10G伝送特性:射出成形により構成された耐熱樹脂レンズ
島津貴之春本道子佐野知巳住友電工)・渡邊卓郎日本通信電材)・岡部昭平片山浩二住友電工ファインポリマー)・山崎 智西川信也住友電工OFT2015-4
汎用の射出成形により形成された光学樹脂レンズは、生産性やコストメリットに利点を有しており、多くの光学製品に広く使用されて... [more] OFT2015-4
pp.17-20
ED 2014-10-22
09:25
北海道 北大エンレイソウ シリコンフィールドエミッタの光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2014-69
微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射... [more] ED2014-69
pp.35-38
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
15:00
沖縄 沖縄県青年会館 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響
茂藤健太崎山 晋酒井崇嗣中嶋一敬岡本隼人高倉健一郎角田 功熊本高専SDM2014-5 OME2014-5
電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した.その結果,2MeVの高エネル... [more] SDM2014-5 OME2014-5
pp.21-25
SDM 2013-12-13
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発
部家 彰草壁 史丸山裕樹松尾直人神田一浩兵庫県立大)・野口 隆琉球大SDM2013-127
10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討した。... [more] SDM2013-127
pp.67-72
ED 2013-10-23
09:00
北海道 北海道大学エンレイソウ シリコン冷陰極からの光支援による電子放射
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大)・吉田知也長尾昌善産総研ED2013-57
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン(nc-Si... [more] ED2013-57
pp.29-32
OME 2013-10-11
14:50
大阪 阪大中之島センター 光電子分光法を用いた有機/金属界面における電子放出現象に関する研究
田中仙君近畿大)・大谷知宏廣光一郎島根大OME2013-62
本発表では、有機薄膜上へ微量の金属を蒸着することで、近紫外光照射によって光電子放出が起こる現象について報告する。有機薄膜... [more] OME2013-62
pp.59-62
CPM 2013-08-02
09:20
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 単層カーボンナノチューブ品質向上を目指したコールドウオール化学気相成長装置の基板ヒーター開発
津田悠作相良拓実山川健一吉田圭佑岩田展幸・○山本 寛日大CPM2013-47
単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケー... [more] CPM2013-47
pp.39-44
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
11:00
東京 機械振興会館 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御
相良拓実津田悠作吉田圭佑日大)・石井宏治矢島博文東京理科大)・岩田展幸山本 寛日大EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35
単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケー... [more] EMD2013-12 CPM2013-27 OME2013-35
pp.25-30
SDM 2012-12-07
10:30
京都 京都大学(桂) 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構SDM2012-117
Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世... [more] SDM2012-117
pp.13-18
ED 2012-11-20
09:55
大阪 阪大中之島センター nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2012-61
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] ED2012-61
pp.37-40
CPM 2012-08-09
10:55
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 面内配向単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果
相良拓実日大)・石井宏治東京理科大)・土肥智史日大)・矢島博文東京理科大)・岩田展幸山本 寛日大CPM2012-47
単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケー... [more] CPM2012-47
pp.61-66
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