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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2023-12-07 14:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源における多重反射の効果 ○小市崇央・河嶋祥吾・阿保 智・若家冨士男（阪大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）  ED2023-40 |
Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源において、グラフェン層は電子ビームの特性に変化... [more] | ED2023-40 pp.8-10 |
| EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2023-07-21 10:35 |
北海道 | 室蘭工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
放射光リング用パルス六極電磁石ビーム入射器磁場の3次元効果の数値的評価について ○及川拓哉・川口秀樹（室蘭工大） EMT2023-39 MW2023-57 OPE2023-39 EST2023-39 MWPTHz2023-35 |
放射光施設におけるトップアップ運転に際し 、ビーム 入射時の放射光の乱れを可能な限り抑制すべく 、パ ルス六極磁石ビーム... [more] | EMT2023-39 MW2023-57 OPE2023-39 EST2023-39 MWPTHz2023-35 pp.155-159 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長 ○角田 功・高倉健一郎（熊本高専） SDM2023-15 OME2023-15 |
本研究室では，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長について検討している．金属誘起横方向成長は，金属材料を非... [more] | SDM2023-15 OME2023-15 pp.55-58 |
| CPM | 2023-02-28 16:00 |
東京 | 東京工科大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
微細素子静電強結合のための原子層堆積TiO2膜の研究 ○高田文洋・水柿義直・島田 宏（電通大） CPM2022-106 |
微細電子デバイスを静電容量を介して強く結合する際には、誘電層に比誘電率が高い材料が必要となる。本研究では、高誘電率材料の... [more] | CPM2022-106 pp.78-81 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-20 10:35 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | ［招待講演］電子ビーム・メタマテリアル相互作用による指向性テラヘルツ電磁波放射 ○松井龍之介（三重大） ED2022-81 MWPTHz2022-52 |
金属回折格子の表面近傍を相対論的速度まで加速させた電子ビームを走らせると電磁波放射が得られることは，スミス・パーセル効果... [more] | ED2022-81 MWPTHz2022-52 pp.46-51 |
| ED | 2022-12-09 12:05 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 通常より低い加熱温度でのLaB6熱電子放出およびショットキー放出の電子放出特性 ○梶田寵太郎・岡田風杜・田中崇之・村田英一・六田英治（名城大） ED2022-64 |
我々は、ショットキー放出モードで動作し、(1)高輝度と大電流の同時達成、(2)長寿命、(3)安定動作の条件を満たす新しい... [more] | ED2022-64 pp.44-46 |
| QIT (第二種研究会) |
2022-12-08 14:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］ダマン回折格子による光渦配列の生成 ○小原颯平・荒井雅章・宮本洋子（電通大） |
ダマン回折格子は明るさの等しい回折光を 1 次元または 2 次元的に生成する 2 値位相回折格子であり、ダマン回折格子の... [more] | |
| EMT, IEE-EMT (連催) |
2022-11-17 10:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
粒子加速器曲線区間に誘起される航跡場における電子バンチの動力学に関する検討 ○川口秀樹・河村朋秀（室蘭工大） EMT2022-44 |
Ｘ線自由電子レーザなどの次世代加速器装置においては，電子ビームの高密度バンチ化，高エネルギー化に伴い，電子が加速器管に誘... [more] | EMT2022-44 pp.1-5 |
| ED | 2021-12-09 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | グラフェン平面陰極搭載の走査型電子顕微鏡用電子銃の最適設計 ○亀田ゆきの（静岡大/産総研）・村上勝久・長尾昌善（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大） ED2021-47 |
走査型電子顕微鏡(SEM)は電子銃、電子線を収束させるための複数の電子レンズなどで構成されている。SEM用新規電子銃とし... [more] | ED2021-47 pp.47-50 |
| QIT (第二種研究会) |
2020-12-10 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］電子線描画による複屈折光学素子の作製 ○新田虎太朗・関 奏太・宮本洋子（電通大） |
光の空間モードを変換するq-plateを作製するため、複屈折を示すと期待される周期構造を設計し、電子ビーム露光装置で試作... [more] | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］熱拡散により作製した深紫外発光ZnAl2O4薄膜の膜質評価 ○今川海斗・園田直樹・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
スパッタリング法により、サファイア基板上にZnO膜を堆積させ、熱拡散によりZnAl2O4薄膜を作製した。電子線励起発光測... [more] | |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| CPM | 2018-08-10 11:05 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴（弘前大） CPM2018-18 |
20 nm～100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] | CPM2018-18 pp.47-52 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 14:00 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 紫外発光混晶アルミン酸亜鉛蛍光体の発光特性 ○松浦大河・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2017-33 |
スピネル構造をもつアルミン酸亜鉛(ZnAl2O4)のAlサイトをGaで置換することでバンドギャップを制御し、発光波長を制... [more] | EID2017-33 pp.13-16 |
| OME | 2017-12-28 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 電界誘起光第2次高調波発生法によるトライボエレクトロニクスのための摩擦帯電測定系の構築とpolyimideの摩擦帯電の測定 ○田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2017-54 |
ものを擦り合わせたときに生じる摩擦電気の利用が環境にやさしい発電技術として注目されている。しかし、摩擦電気の発生と消失の... [more] | OME2017-54 pp.25-30 |
| ED | 2017-10-26 13:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・高井幹夫（阪大） ED2017-37 |
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス... [more] | ED2017-37 pp.5-8 |
| ED | 2017-10-26 14:45 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み（その3） ○梶川恵広・吉田 満・宗廣孝継・増田則夫（NECネットワーク・センサ）・関根徳彦・菅野敦史・山本直克・笠松章史・寳迫 巌（NICT） ED2017-39 |
“テラヘルツギャップ”と呼ばれる周波数帯における電力発生技術の開発が重要な課題の一つとなっており，真空デバイスは高出力の... [more] | ED2017-39 pp.13-16 |
| ED | 2016-10-25 14:40 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2016-46 |
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] | ED2016-46 pp.13-15 |
| ED | 2016-10-25 15:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 ○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ） ED2016-47 |
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] | ED2016-47 pp.17-20 |
| ED | 2016-10-25 16:10 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断 ○吉武 亮・光野圭悟・増澤智昭・畑中義式・細田 誠・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2016-49 |
100GHzより高い周波数帯の電磁波はサブミリ波帯と呼ばれる．高出力のサブミリ波はデータ通信技術やセキュリティなどさまざ... [more] | ED2016-49 pp.27-30 |
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