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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-01-29
13:20
東京 機械振興会館 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクス
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] SDM2018-86
pp.21-26
EMCJ 2018-01-18
13:55
岡山 倉敷市芸文館 電気自動車用ワイヤレス電力伝送装置から生じる漏洩磁界特性及び体内誘導電界解析
伊東直基鈴木敬久多氣昌生首都大東京
電気自動車用ワイヤレス電力伝送装置で検討されているコイル形状の中で,スパイラルコイルとDD コイルの2 種類のコイルを用... [more] EMCJ2017-90
pp.13-18
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:20
愛知 名古屋工業大学 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価
石松裕真舟木浩祐桝谷聡士宮崎恭輔大島孝仁嘉数 誠大石敏之佐賀大
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76
pp.69-72
MW 2017-11-10
14:40
沖縄 宮古島マリンターミナルビル 電界閉じ込め型スパイラル共振器の総合的評価
平岩達也石崎俊雄龍谷大)・粟井郁雄リューテック
これまで我々が提案してきた4種類の電界閉じ込め型スパイラルコイル共振器の動作原理、作製法、閉じ込め効率、無負荷Q,周辺媒... [more] MW2017-141
pp.161-166
CPM 2017-07-21
16:42
北海道 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 BiFe1-xMnxO3単相膜及び[CaFeOx/BiFe1-xMnxO3]人工超格子の面直方向に関する電気特性
松山裕貴大橋祥平小山智之赤澤孝徳宋 華平館野友優岡本卓也永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
パルスレーザー堆積法により成膜した、BiFe1-xMnxO3(BFMO)薄膜及び[CaFeOx(CFO)/BFMO]人工... [more] CPM2017-30
pp.45-49
WBS, RCC, ITS
(共催)
2016-12-02
09:40
香川 サンポートホール高松 インパルス性雑音の影響を受けるBPFをベースとした現行信号伝送方法が持つ欠点と改善 ~ 電気自動車時代の車内通信 ~
郡 武治静岡理工科大
電気自動車では大電流をスイッチングするインバータから強力なインパルス性雑音が発せられる。また、雑音対策が不十分な低コスト... [more] WBS2016-68 ITS2016-35 RCC2016-57
pp.119-123
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
10:35
青森 青森県観光物産館アスパム イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発
岡田広美藤井茉美石河泰明奈良先端大)・三輪一元電中研)・浦岡行治奈良先端大)・小野新平電中研
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は,優れた電気特性,低温作製可能,ワイドバンドギャップとい... [more] R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
pp.5-8
WPT 2015-06-12
13:45
東京 東京大学 磁界共振結合型無線電力伝送に向けた誘電体を装荷した自己共振型小型共振器の開発
拮石真一郎辻村善徳日本特殊陶業)・居村岳広東大
コイルの巻線間に誘電体を装荷することで大きな浮遊容量を形成し,外部コンデンサを不要とする小型共振器を開発した.誘電体は電... [more] WPT2015-24
pp.19-24
WPT 2015-06-12
15:35
東京 東京大学 走行中非接触給電における周囲漏洩電磁界低減を目的とした送電側コイル形状に関する検討
青木秀太佐藤文博宮原 敏松木英敏東北大)・田倉哲也東北工大
電磁誘導方式による走行中非接触給電の周囲漏洩電磁界低減について,漏洩電磁界低減を目的とした送電側の新規形状コイルを提案し... [more] WPT2015-28
pp.43-48
SANE 2015-05-29
13:20
神奈川 JAXA相模原キャンパス マイクロ波帯におけるSPICA衛星構造体のシールド特性 (その2)
森 裕哉東京電機大)・冨木淳史JAXA)・小林岳彦東京電機大)・村田泰宏松原英雄中川貴雄JAXA)・田原 健関東電子応用開発
2025年以降の打ち上げを目指す赤外線天文衛星SPICAには,絶対温度6Kまで冷却する遠赤外線観測装置が搭載される.この... [more] SANE2015-10
pp.23-28
ICD 2015-04-17
13:30
長野 信州大学 [依頼講演]強誘電体キャパシタを用いた長期データ保持可能な低消費電力不揮発フリップフロップの構成
木村啓明淵上貴昭丸本共治藤森敬和ローム)・和泉慎太郎川口 博吉本雅彦神戸大
本稿では,不揮発フリップフロップの低消費電力LSI応用に向け,電源オフ期間にデータ保持する強誘電体キャパシタのリテンショ... [more] ICD2015-11
pp.51-55
CPM 2014-09-04
15:55
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 パルスレーザー堆積法によるBi系ペロブスカイト酸化物薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性
稲葉隆哲渡部雄太大島佳祐及川貴大Huaping Song永田知子橋本拓也高瀬浩一山本 寛・○岩田展幸日大
SrTiO3(STO)基板上にパルスレーザー堆積(Pulsed laser deposition : PLD)法により酸... [more] CPM2014-80
pp.27-32
SANE 2014-05-23
16:00
神奈川 JAXA 相模原キャンパス マイクロ波帯におけるSPICA衛星構造体のシールド特性
森 裕哉東京電機大)・冨木淳史JAXA)・小林岳彦東京電機大)・村田泰宏松原英雄中川貴雄JAXA)・田原 健関東電子応用開発
次世代赤外線天文衛星SPICAには,絶対温度4.5Kまで冷却する遠赤外線観測装置が搭載される.このため,地球を指向する高... [more] SANE2014-19
pp.51-56
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
16:15
沖縄 沖縄県青年会館 The study on A Novel Asymmetric Poly-Si Thin Film Transistor With Low Drain Electric Field
Meng-Shan ChiTzung-Ju LinFeng-Tso ChienFeng Chia Univ.)・Chii-Wen ChenMinghsin Univ.
We propose a asymmetric poly-Si thin film transistor with a ... [more]
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter
Takeshi SasakiTakuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] ED2010-92 SDM2010-93
pp.177-182
ICD 2010-04-22
11:40
神奈川 湘南工大 しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM
田中丸周平畑中輝義矢島亮児東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され,実験的に実証された.提案のSRAMはNMOSの基板... [more] ICD2010-5
pp.23-28
LOIS, IPSJ-GN
(連催)
2009-05-21
16:15
東京 早稲田大学理工学部 55号館N棟大会議室 電界通信を用いた本人認証へのバイオメトリック暗号技術の適用
大木哲史小松尚久早大)・川辺秀樹細田泰弘NTT
電界通信のみを用いた本人認証では,電界通信クライアントを他人が利用するといった,なりすまし等の不正利用が行われる危険性が... [more] LOIS2009-5
pp.79-84
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
15:20
北海道 かでる2・7(札幌) Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching
Takayuki SawadaYuta KaizukaKensuke TakahashiKazuaki ImaiHokkaido Inst. of Tech.
 [more] ED2008-107 SDM2008-126
pp.351-355
EMCJ 2008-03-07
09:35
東京 機械振興会館 住宅環境における屋内広帯域電力線搬送通信からの漏洩電界とコモンモード電流の測定III
北川勝浩阪大)・大石雅寿国立天文台
我が国の広帯域電力線搬送通信設備(PLC)の漏洩電界は周囲雑音以下を謳いながら、それを30dB超過する。この原因を探るた... [more] EMCJ2007-117
pp.1-6
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