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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
AP, RCS
(併催)
2014-11-13
10:25
山形 山形大 米沢キャンパス 鉄道における対列車ミリ波通信の伝搬試験
服部鉄範栗田 明殖栗英介工藤 司JR東日本)・塚本 薫岡崎彰浩三菱電機RCS2014-210
近年,鉄道分野における地上・車上間の大容量通信の実現を目指し,40GHz帯ミリ波に関する検討が進められている.ミリ波通信... [more] RCS2014-210
pp.79-84
CS 2014-11-07
09:15
北海道 知床(北海道) Producer Mobility in NDN Based on Interest Redirection
Siran ZhangWaseda Univ.)・Zhiwei YanCNNIC)・Sho HaradaYong-Jin ParkHidenori NakazatoWaseda Univ.CS2014-66
 [more] CS2014-66
pp.75-80
SC 2014-03-14
15:35
東京 国立情報学研究所 Wi-Fi Directを利用したAndroid間直通信のためのサービスコンピューティングプラットフォーム
須永 宏加藤将太阪工大SC2013-22
キャリアの移動体通信サービス,Wi-Fiサービス提供が無い場所で直接通信を行うAndroid端末アプリケーション向けのサ... [more] SC2013-22
pp.19-24
ED 2013-12-16
17:25
宮城 東北大通研 間接注入機構量子カスケードレーザの1.89 THz,160 K発振
佐々木美穂理研/埼玉大)・林 宗澤理研)・平山秀樹理研/埼玉大ED2013-99
テラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)は高出力,狭線幅,連続動作可能といった特長を有することから,小型のテラヘ... [more] ED2013-99
pp.53-56
SDM 2013-11-15
13:25
東京 機械振興会館 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] SDM2013-111
pp.65-70
IN, NS
(併催)
2011-03-04
10:20
沖縄 沖縄コンベンションセンター トラヒックオフロードの適用に伴うコアネットワーク・無線の負荷軽減に関する考察
立木将人及川康之小室貴史NTTドコモNS2010-229
近年のスマートフォン等の普及スピードの増加により,モバイルキャリアネットワークを通過するトラヒック量は大きく増加している... [more] NS2010-229
pp.375-378
IN, NS
(併催)
2011-03-04
10:40
沖縄 沖縄コンベンションセンター Direct Tunnelの適用に伴うコアネットワーク制御に関する一検討
及川康之立木将人小室貴史NTTドコモNS2010-230
昨今スマートフォンの普及によりネットワークが扱うトラヒック量は爆発的に増加し,通信事業者のネットワーク設備を圧迫している... [more] NS2010-230
pp.379-382
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:25
東京 東工大 大岡山キャンパス Analysis of low loss and wideband characteristics for monolithic isolators using resonant tunneling diodes
Nobuhiko TanakaMitsufumi SaitoMichihiko SuharaTokyo Metro. Univ.ED2010-62 SDM2010-63
 [more] ED2010-62 SDM2010-63
pp.49-53
ICD 2010-04-22
15:45
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2010-10
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 n... [more] ICD2010-10
pp.53-57
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
11:45
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot
Masakazu MuraguchiTohoku Univ.)・Yukihiro TakadaShintaro NomuraUniv. of Tsukuba.)・Tetsuo EndohTohoku Univ.)・Kenji ShiraishiUniv. of Tsukuba.ED2009-93 SDM2009-88
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] ED2009-93 SDM2009-88
pp.185-188
SDM 2008-12-05
13:50
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価
入船裕行矢野裕司浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大SDM2008-189
我々は,これまでにバイオナノドット(BND)を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた.本研究... [more] SDM2008-189
pp.27-30
ICD 2007-04-12
13:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM(SPin-transfer torque RAM)
竹村理一郎河原尊之三浦勝哉日立)・早川 純日立/東北大)・池田正二李 永珉佐々木龍太郎東北大)・後藤 康伊藤顕知日立)・目黒敏靖松倉文礼東北大)・高橋宏昌日立/東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2007-6
トンネル磁気抵抗のスピン制御にスピン注入磁化反転方式を用いたSPRAM(SPin-transfer torque RAM... [more] ICD2007-6
pp.29-34
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