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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-09-01 10:40 |
青森 | 弘前文化センター | ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 ○井上大輔・福田 快・平谷拓生・冨安高弘・瓜生達也・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  R2017-34 EMD2017-28 CPM2017-49 OPE2017-58 LQE2017-31 |
集積回路の性能はMOSFETのスケーリング則に基づいて高集積化と高速化が進められてきた。しかし、電気配線層における発熱や... [more] | R2017-34 EMD2017-28 CPM2017-49 OPE2017-58 LQE2017-31 pp.51-54 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 09:20 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・長谷部浩一・西 英隆・山本 剛・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] | R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 pp.1-4 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-22 14:25 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送 ○松田 学・植竹理人・下山峰史・奥村滋一・高林和雅・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2014-3 |
半絶縁性 InP 基板上に作製した 1.3-μm 帯 AlGaInAs DR レーザアレイの 43 Gb/s 直接変調実... [more] | LQE2014-3 pp.9-13 |
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