お知らせ ◆電子情報通信学会における研究会開催について(新型コロナウイルス関連)
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2015-08-11
11:20
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価
成田英史弘前大)・山田大地福田幸夫諏訪東京理科大)・鹿糠洋介岡本 浩弘前大CPM2015-44
次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこ... [more] CPM2015-44
pp.67-70
SDM 2015-06-19
09:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価
徳田 豊愛知工大SDM2015-39
トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を... [more] SDM2015-39
pp.5-10
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴加藤正史市村正也名工大ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
pp.101-104
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:20
愛知 名古屋大学VBL3階 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈田岡紀之坂下満男中塚 理財満鎭明名大ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
pp.113-118
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
13:55
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
中根浩貴加藤正史市村正也名工大)・大島 武原子力機構ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24
pp.7-12
SDM 2012-12-07
14:00
京都 京都大学(桂) ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析
村井剛太奥谷真士田川修治吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2012-127
ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって,極浅接合の欠陥の深... [more] SDM2012-127
pp.71-76
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
11:15
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33
pp.67-72
CPM 2011-08-10
13:25
青森 弘前大学 文京町キャンパス In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価
鈴木聡一郎佐藤真哉岩崎拓郎弘前大)・俵 毅彦舘野功太後藤秀樹寒川哲臣NTT)・岡本 浩弘前大CPM2011-57
Biをサーファクタントとした独自の成長方法によって成長したGaAsP歪補償層を有する10層量子ドットを対象とし、DLTS... [more] CPM2011-57
pp.7-10
CPM 2011-08-10
17:00
青森 弘前大学 文京町キャンパス ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価
佐藤真哉岩崎拓郎鈴木聡一郎小野俊郎弘前大)・福田幸夫諏訪東京理科大)・岡本 浩弘前大CPM2011-65
近年Geを用いたMIS構造が次世代のデバイス候補として注目を集めているが、界面の品質向上が課題となっている。これまでに我... [more] CPM2011-65
pp.47-50
SDM 2010-12-17
15:45
京都 京都大学(桂) ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価
奥谷真士高島周平吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2010-198
ホトルミネセンス(PL)法を活用して,極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た.イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] SDM2010-198
pp.73-78
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
10:50
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE
Kimihito OoyamaHokkaido Univ./SMM)・Katsuya SugawaraHokkaido Univ.)・Hiroyuki TaketomiHideto MiyakeKazumasa HiramatsuMie Univ.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ./JSTED2010-107 SDM2010-108
 [more] ED2010-107 SDM2010-108
pp.249-252
SDM 2009-06-19
13:40
東京 東京大学(生産研An棟) HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
今庄秀人Hyun LeeDong-Hun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大SDM2009-34
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶... [more] SDM2009-34
pp.45-50
SDM 2008-12-05
16:10
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価
今庄秀人Hyun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大SDM2008-195
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている.しかし、C-V特性,リーク電流など... [more] SDM2008-195
pp.59-64
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
15:30
愛知 名古屋工業大学 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価
鬼頭孝輔加藤正史市村正也名工大ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
pp.101-106
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:30
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes
Masashi KatoKazuki MikamoMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり,GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
11:20
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
加藤正史三鴨一輝市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more]
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