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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2023-07-21
11:00
北海道 室蘭工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
NRDガイド解析のための3次元フルベクトル双方向ビーム伝搬法
安 賢旭井口亜希人室蘭工大)・森本佳太兵庫県立大)・辻 寧英室蘭工大EMT2023-53 MW2023-71 OPE2023-53 EST2023-53 MWPTHz2023-49
本報告では,非放射誘電体線路 (Nonradiative dielectric waveguide, NRD guide... [more] EMT2023-53 MW2023-71 OPE2023-53 EST2023-53 MWPTHz2023-49
pp.225-229
RCS, AP, UWT
(併催)
2020-11-26
11:20
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]水中音響通信における適応デジタルダウンコンバージョン
出口充康樹田行弘志村拓也海洋研究開発機構AP2020-86 RCS2020-125
水中音響通信では,その伝搬速度の遅さに起因して,空中での電磁波通信に比べてドップラーシフトの影響が大きい.特に,非定常な... [more] AP2020-86 RCS2020-125
pp.72-77(AP), pp.87-92(RCS)
AP, RCS
(併催)
2019-11-22
15:05
佐賀 佐賀大学 [依頼講演]Time Reversal DFEによる水中音響通信の研究 ~ MIMO通信、マルチユーザ通信への応用 ~
志村拓也出口充康樹田行弘渡邊佳孝海洋研究開発機構AP2019-139 RCS2019-234
水中の音響通信では、空中の電波通信と比べて、マルチパス波による干渉やドップラーシフトの影響が桁違いに大きく、利用可能な周... [more] AP2019-139 RCS2019-234
pp.181-186(AP), pp.175-180(RCS)
US 2019-08-28
15:45
東京 東京工業大学 大岡山キャンパス 高速水中音響通信の研究開発 ~ Time ReversalによるMIMO通信の研究、しんかい6500搭載音響通信装置の開発 ~
志村拓也出口充康樹田行弘渡邊佳孝海洋研究開発機構US2019-43
水中の音響通信では、空中の電波通信と比べて、マルチパス波による干渉やドップラーシフトの影響が桁違いに大きく、使用できる周... [more] US2019-43
pp.33-38
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
11:05
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波送電実用化に向けた5.8GHz帯高効率GaN増幅器
山中宏治弥政和宏半谷政毅内海博三西原 淳本間幸洋三菱電機)・佐々木謙治宇宙システム開発利用推進機構EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62
マイクロ波送電技術は宇宙太陽光発電や地上での遠距離無線電力伝送手段として注目されている.マイクロ波送電技術を実用化するに... [more] EMCJ2017-47 MW2017-99 EST2017-62
pp.117-122
DC 2017-02-21
16:35
東京 機械振興会館 三次元積層ICのTSV相互接続の評価容易化設計DFE ~ アナログバウンダリスキャンによる接続抵抗評価 ~
亀山修一愛媛大/富士通)・王 森レイ高橋 寛愛媛大DC2016-83
本稿では製品の品質評価のための回路をLSIやボードに組込む設計手法,評価容易化設計(Design for Evaluat... [more] DC2016-83
pp.53-58
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-04
10:55
北海道 サン・リフレ函館 [招待講演]データ補間回路を用いた2-tap DFE付32Gb/sデータ受信器
土肥義康柴崎崇之檀上 匠ウィン チャイヴィパース橋田拓志富士通研)・宮岡弘樹富士通セミコンダクター)・星野正格富士通マイクロソリューションズ)・小柳洋一富士通研)・山本拓司富士通米国研)・塚本三六田村泰孝富士通研ICD2013-27
本論文では,プリント回路基板(PCB)上チップ間電気通信において,非同期サンプリングクロックを用いてサンプリングした電圧... [more] ICD2013-27
pp.19-24
RCS, SR, SRW
(併催)
2013-02-27
10:30
東京 早稲田大学 Hermitian Splitting Precoding (HSP) for Wireless MIMO Systems -- All The Channel Capacity, Half The Signaling Cost --
Oussama SouihliYasuyuki HatakawaSatoshi KonishiKDDI R&D LabsRCS2012-288
 [more] RCS2012-288
pp.25-30
MW, ED
(共催)
2013-01-18
11:15
東京 機械振興会館 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討
山口裕太郎大石敏之大塚浩志吉岡貴章小山英寿鮫島文典津山祥紀山中宏治三菱電機ED2012-121 MW2012-151
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] ED2012-121 MW2012-151
pp.49-52
MW 2012-06-29
14:00
岐阜 岐阜大学 C帯220W高効率GaN増幅器
前原宏昭山中宏治小坂尚輝西原 淳川嶋慶一中山正敏三菱電機MW2012-22
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] MW2012-22
pp.19-24
MW 2012-03-01
13:45
佐賀 佐賀大学 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討
山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機MW2011-175
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] MW2011-175
pp.41-46
EMCJ, MW, EST
(共催)
2011-05-26
14:35
東京 情報通信研究機構 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET
山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10
pp.45-50
MW, ED
(共催)
2011-01-13
15:25
東京 機械振興会館 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器
山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機ED2010-179 MW2010-139
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] ED2010-179 MW2010-139
pp.23-28
SANE 2010-06-25
16:00
茨城 JAXA筑波宇宙センター SDS-1搭載小型放射線センサ計測結果
木本雄吾JAXASANE2010-48
小型実証衛星1型(Small Demonstration Satellite:SDS-1)搭載の小型放射線センサ(Dos... [more] SANE2010-48
pp.195-199
RCS, IN
(併催)
2009-05-22
09:00
東京 機械振興会館 複数信号点配置と多重トレリス符号化変調を用いた不均一誤り保護符号システム ~ 第4報適応誤差予測型判定帰還形適応等化器の基本特性 ~
山崎悟史David K Asano信州大RCS2009-13
情報の重要度に応じて,2つの異なる信号点配置を持つ符号を切り替え,多重トレリス符号化変調を用いた不均一誤り保護システムを... [more] RCS2009-13
pp.73-78
MW 2008-08-28
13:45
大阪 大阪大学(豊中) GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
山中宏治湯川秀憲井上 晃三菱電機MW2008-84
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研... [more] MW2008-84
pp.31-36
MW 2008-06-27
14:50
愛知 豊橋技科大 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討
山中宏治能登一二三木村実人山内和久加茂宣卓桑田英悟大塚浩志井上 晃三菱電機MW2008-44
高調波処理(高調波整合)によるGaN HEMTの高効率動作について報告する.GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] MW2008-44
pp.69-74
SCE, MW
(共催)
2008-04-22
14:50
東京 機械振興会館 GaN HEMT広帯域高効率増幅器
山中宏治大塚浩志津山祥紀茶木 伸井上 晃三菱電機SCE2008-10 MW2008-10
GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する.表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることで... [more] SCE2008-10 MW2008-10
pp.53-58
ED, MW
(共催)
2008-01-16
14:50
東京 機械振興会館 C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器
山中宏治大塚浩志森 一富能登一二三三菱電機ED2007-210 MW2007-141
GaN HEMTを用いたC帯高出力増幅器について報告する.表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカ... [more] ED2007-210 MW2007-141
pp.23-28
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