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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CS | 2023-07-28 13:15 |
東京 | 八丈町商工会 | ［招待講演］SOA集積型EA-DFBレーザにおけるAMCC信号の電気重畳と光重畳による信号品質の比較検討 ○田中康就・金井拓也・陳 明晨・進藤隆彦・原 一貴・中村浩崇・可児淳一・佐野公一・吉田智暁（NTT）  CS2023-54 |
直接光接続を実現し、大容量・低遅延・低消費電力なネットワークサービスをプロトコルフリーで提供可能にするAPN (All-... [more] | CS2023-54 pp.141-145 |
| CQ, CS (併催) |
2022-05-13 16:10 |
福井 | 福井 (福井県) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SOA集積型EA-DFBレーザにおけるAMCC信号の電気重畳と光重畳による信号品質の比較検討 ○田中康就・金井拓也・陳 明晨・進藤隆彦・原 一貴・中村浩崇・可児淳一・佐野公一・吉田智暁（NTT） CS2022-8 |
直接光接続を実現し、大容量・低遅延・低消費電力なネットワークサービスをプロトコルフリーで提供可能にするAPN (All-... [more] | CS2022-8 pp.31-36 |
| R, LQE, OPE, CPM, EMD (共催) |
2020-08-28 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | スペクトルを用いた点広がり関数によるFMCW LiDARの高精度化 ○上野雅浩・田中優理奈・赤毛勇一・坂本 尊・川村宗範・岡 宗一（NTT） R2020-11 EMD2020-10 CPM2020-3 OPE2020-23 LQE2020-3 |
光を使った測距技術の一つであるFMCW LiDARにおいて、測距精度は重要な性能指標である。FMCW LiDARでは、周... [more] | R2020-11 EMD2020-10 CPM2020-3 OPE2020-23 LQE2020-3 pp.11-16 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-09-01 10:40 |
青森 | 弘前文化センター | ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 ○井上大輔・福田 快・平谷拓生・冨安高弘・瓜生達也・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2017-34 EMD2017-28 CPM2017-49 OPE2017-58 LQE2017-31 |
集積回路の性能はMOSFETのスケーリング則に基づいて高集積化と高速化が進められてきた。しかし、電気配線層における発熱や... [more] | R2017-34 EMD2017-28 CPM2017-49 OPE2017-58 LQE2017-31 pp.51-54 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 15:25 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作 ○羽鳥伸明・鄭 錫煥・田中 有（光電子融合基盤技研） LQE2017-20 |
低消費電力小型光モジュール実現のために，光源として検討している量子ドット分布帰還形(DFB)レーザの，広い温度範囲での低... [more] | LQE2017-20 pp.85-88 |
| OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 10:20 |
三重 | 伊勢市観光文化会館 | 25.8 Gbps 1.3μm帯InGaAlAs-MQW直接変調型DFBレーザの120℃動作 ○中西 慧・中島崇之・笹田紀子・早川茂則・佐久間 康・鷲野 隆・向久保 優・野口大輔・水関作智子・渋谷典道・直江和彦・中原宏治・魚見和久（日本オクラロ） PN2016-65 EMT2016-94 OPE2016-140 LQE2016-129 EST2016-104 MWP2016-78 |
モバイルフロントホールネットワークにおけるI-temp SFP28-LR向けの光源として、100℃以上の高温においても動... [more] | PN2016-65 EMT2016-94 OPE2016-140 LQE2016-129 EST2016-104 MWP2016-78 pp.135-138 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 次世代コヒーレント伝送向けDFBアレイ集積型波長可変レーザ ○黒部立郎・木村俊雄・越 浩之・向原智一（古河電工） OPE2015-16 LQE2015-26 |
将来の狭線幅レーザでは小型化と高機能化が求められている。DFBレーザアレイ集積型の波長可変レーザの更なる狭線幅化のため、... [more] | OPE2015-16 LQE2015-26 pp.31-34 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 100GbE対応小型トランシーバ向け1.3μm帯25.8Gbps直接変調DFBレーザの85℃エラーフリー10kmファイバ伝送 ○中島崇之・深町俊彦・明石光央・中村 厚・佐久間 康・早川茂則・鷲野 隆・向久保 優・岡本 薫・元田勝也・直江和彦・中原宏治・田中滋久・魚見和久（日本オクラロ） OPE2015-18 LQE2015-28 |
データセンタに向けた100GbE対応小型トランシーバ用光源として，CWDM波長帯に対応する25.8 Gbps InGaA... [more] | OPE2015-18 LQE2015-28 pp.39-42 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 17:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 |
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 pp.135-140 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-31 16:05 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | ［招待講演］フリップチップ接続技術を用いた50Gb/s x 8Ch EADFBレーザアレイ ○金澤 慈・藤澤 剛・高畑清人・三条広明・伊賀龍三・石井啓之（NTT） OCS2014-82 OPE2014-126 LQE2014-100 |
従来のワイヤ接続と比較して、広帯域かつ、低クロストーク動作が可能となるフリップチップ接続技術適用した、400G用合波器集... [more] | OCS2014-82 OPE2014-126 LQE2014-100 pp.211-214 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 11:15 |
北海道 | 小樽経済センター | シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ ○松尾慎治・藤井拓郎・長谷部浩一・武田浩司・佐藤具就・硴塚孝明（NTT） R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 |
埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造（メンブレン構造）を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光... [more] | R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 pp.13-16 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 11:35 |
北海道 | 小樽経済センター | BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ ○井上大輔・李 智恩・平谷拓生・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 |
集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技... [more] | R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 pp.17-22 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 15:25 |
北海道 | 小樽経済センター | 背面モニター用不等間隔導波路付きチューナブルレーザ ○笹畑圭史・松本啓資・柳楽 崇・佐久間 仁・岸本一誠・鈴木正人・鈴木大輔・堀口裕一郎・高林正和・望月敬太・後藤田光伸・有賀 博・石村栄太郎（三菱電機） R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 |
我々は、はじめて背面波長モニター用不等間隔導波路を集積した16 DFBレーザアレイ型チューナブルレーザを開発した。TEC... [more] | R2014-48 EMD2014-53 CPM2014-68 OPE2014-78 LQE2014-52 pp.127-131 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 09:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 酸素分光計測用760nm分布帰還形半導体レーザの開発 ○北島秀訓・樋口 彰・藤原淳志・内藤秀幸・前田純也（浜松ホトニクス） ED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30 |
酸素分光計測用760nm帯分布帰還形半導体レーザ(DFBレーザ)において, 結晶構造・回折格子など素子構造の最適化により... [more] | ED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30 pp.69-73 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 11:35 |
北海道 | サンリフレ函館 | フリップチップ実装EADFBレーザアレイモジュールの低クロストーク・広帯域動作 ○金澤 慈・藤澤 剛・高畑清人・大木 明・伊賀龍三・石井啓之（NTT） R2013-34 EMD2013-40 CPM2013-59 OPE2013-63 LQE2013-33 |
低クロストーク、広帯域化に有効なフリップチップ接続を用いた4Ch-EADFBレーザアレイモジュールを作製した。また、4チ... [more] | R2013-34 EMD2013-40 CPM2013-59 OPE2013-63 LQE2013-33 pp.31-34 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称周期変調型回折格子を有する1.3um帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作 ○若山雄貴・中原宏治・比留間健之・北谷 健・篠田和典（日立）・深町俊彦・佐久間 康（日本オクラロ）・田中滋久（日立） OPE2013-14 LQE2013-24 |
低消費電力100GbE光トランシーバ向け1.3 um帯直接変調DFBレーザのセミクールド(55℃)28 Gbps高マスク... [more] | OPE2013-14 LQE2013-24 pp.39-42 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発 ○金井拓也・布谷伸浩・山中孝之・伊賀龍三・下小園 真・石井啓之（NTT） OPE2013-15 LQE2013-25 |
我々は，高速高精度な波長切替の実現をめざし，モード跳び無く高速(<1 μs)に波長を変えられる波長可変分布活性(TDA-... [more] | OPE2013-15 LQE2013-25 pp.43-48 |
| OPE, LQE (共催) EMD, CPM, OME (共催) (併催) [詳細] |
2012-06-22 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別招待講演］半導体レーザ50周年に際して ○末松安晴（東工大/高柳記念財団） EMD2012-8 CPM2012-25 OME2012-32 OPE2012-14 LQE2012-18 |
半導体レーザ誕生５０周年に際して、半導体レーザのフォトニクス分野に於ける主な発展を概観し、光通信、光ディスク、光プリンタ... [more] | EMD2012-8 CPM2012-25 OME2012-32 OPE2012-14 LQE2012-18 pp.1-6(EMD), pp.1-6(CPM), pp.1-6(OME), pp.21-26(OPE), pp.21-26(LQE) |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 15:40 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用 ○布谷伸浩・石井啓之・伊賀龍三・佐藤具就・大橋弘美（NTT） PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 |
高速波長切替可能かつ安定運用可能な光通信用光源の開発を目的とし、モードホップ無く波長変化する半導体レーザの開発を行った。... [more] | PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 pp.99-102 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2010-10-29 14:40 |
福岡 | 門司港レトロ・港ハウス | 1.3/1.55μmEADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作 ○小林 亘・都築 健・田所貴志・藤澤 剛・藤原直樹・山中孝之・狩野文良（NTT） OCS2010-81 OPE2010-117 LQE2010-90 |
小型・低コスト40Gb/s光源の実現を目的として、InGaAlAs系材料量を用いて作製した1.3μm及び1.55μm帯電... [more] | OCS2010-81 OPE2010-117 LQE2010-90 pp.149-152 |
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