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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2019-12-24 16:00 |
奈良 | 奈良先端大(物質領域 大講義室） | Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization ○Muhammad Arif Razali・Nobuo Sasaki・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） |
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| SDM | 2010-10-21 17:40 |
宮城 | 東北大学 | 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 ○岩鍜治陽子・広田 潤・矢吹 宗・石田浩一・金子和香奈・水島一郎・赤堀浩史（東芝）  SDM2010-158 |
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] | SDM2010-158 pp.31-34 |
| SDM | 2009-10-30 11:30 |
宮城 | 東北大学 | ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 ○田主裕一朗・河野陽輔・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）・村 直美・山上公久・古村雄二（フィルテック）・伊藤隆司（東北大） SDM2009-128 |
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール... [more] | SDM2009-128 pp.47-50 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 16:15 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 ○黒澤昌志・川畑直之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2009-5 OME2009-5 |
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には，高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] | SDM2009-5 OME2009-5 pp.19-23 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 17:05 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正（九大） SDM2009-7 OME2009-7 |
プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とそ... [more] | SDM2009-7 OME2009-7 pp.29-34 |
| SDM | 2008-10-09 14:30 |
宮城 | 東北大学 | エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化 ○沼田雅之・黒木伸一郎・藤井俊太朗・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2008-151 |
CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2 µm2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、... [more] | SDM2008-151 pp.13-16 |
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