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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2023-02-28 14:45 |
東京 | 東京工科大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
2種類の金ナノ粒子集合体での高周波誘起電流の観測 ○林 優生・小林海斗・藤倉健太・島田 宏・水柿義直（電通大）  CPM2022-101 |
本研究では，2種類の粒径の金ナノ粒子(粒径15nmと50nm)を誘電泳動によりドレイン・ソース電極間のナノギャップに配置... [more] | CPM2022-101 pp.58-61 |
| CPM | 2022-03-01 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 金コロイド二段階液浸法を用いて作製した単一電子トランジスタの電気的特性 ○小林海斗・藤倉健太・浦江哲也・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） CPM2021-79 |
本研究では金ナノ粒子を島電極とする6端子単一電子素子の実現を目指し, ソース・ドレイン電極間のナノギャップにレジスト穴を... [more] | CPM2021-79 pp.28-30 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性 ○瘧師貴幸・浅井佑基・卞 範模・天野郁馬・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17 |
単電子デバイス(Single-Electron Device: SED)は超低消費電力・高機能性を有するナノデバイスであ... [more] | ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17 pp.23-26 |
| CPM | 2021-03-03 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | オンチップ電磁石を利用して作製したCoナノ粒子配列からなる強磁性単一電子素子 ○藤倉健太・浦江哲也・関根一真・守屋雅隆・島田 宏（電通大）・平野愛弓（東北大）・廣瀬文彦（山形大）・水柿義直（電通大） CPM2020-70 |
本研究では，Coナノ粒子を島電極とする強磁性単一電子素子の作製を目指し，基板上に配置した電磁石(オンチップ電磁石)を用い... [more] | CPM2020-70 pp.55-58 |
| ED | 2018-04-19 14:20 |
山形 | 山形大学 | 金ナノ粒子ランダム配列において観測された単一電子トランジスタ的な特性 ○守屋雅隆・Tran Thi Thu Huong・松本和彦・森林 誠・島田 宏（電通大）・木村康男（東京工科大）・平野愛弓（東北大）・水柿義直（電通大） ED2018-3 |
我々は,酸化膜で覆われた基板上に電極を作製した後に金コロイド溶液を滴下・乾燥させ，金ナノ粒子をランダムに配列させることで... [more] | ED2018-3 pp.9-12 |
| CPM | 2018-03-02 09:45 |
東京 | 東京工科大学 | シラン化処理を施した基板上に作製した金ナノ粒子配列の単一電子素子への応用 ○谷貝知起・松本和彦・森林 誠・守屋雅隆・島田 宏（電通大）・平野愛弓（東北大）・廣瀬文彦（山形大）・水柿義直（電通大） CPM2017-128 |
本研究では，シラン化処理を施した基板を金コロイド溶液へ液浸させる手法を用いて，均一に分散された金ナノ粒子配列を形成した．... [more] | CPM2017-128 pp.49-52 |
| ED | 2017-04-21 10:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | 強磁性体－超伝導体－強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答 ○水柿義直・滝口将志・田村伸行・島田 宏（電通大） ED2017-13 |
強磁性体（Ferromagnet: FM）であるコバルト（Co）と超伝導体（Superconductor: SC）である... [more] | ED2017-13 pp.47-50 |
| SCE | 2015-01-22 09:50 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | 量子電流ミラー効果に基づく高精度な電流整数倍器の実現に向けた研究 ○武田晃一・宮脇健至・ガンドロシュラ スリニワス・石田千尋・萩原彩乃・水柿義直・島田 宏（電通大） SCE2014-49 |
我々は、静電的に結合された2本の微小ジョセフソン接合の線形配列間に見出された量子電流ミラー効果と呼ばれる直流電流の転写現... [more] | SCE2014-49 pp.1-6 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:50 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 散逸要素を組み込んだ単一電子素子・単一磁束量子素子での間欠発振 ○水柿義直（電通大） ED2012-139 SDM2012-168 |
単一電子トランジスタでは，微小トンネル接合での単一電子トンネリングにより，島電極上の電荷が離散的に変化する．また，超伝導... [more] | ED2012-139 SDM2012-168 pp.59-64 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 10:15 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 超伝導島電極を有する強磁性SETにおける磁気抵抗比の極性とトンネル抵抗値の相関 ○滝口将志・守屋雅隆・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2012-140 SDM2012-169 |
強磁性体-超伝導体-強磁性体からなる二重トンネル接合デバイスでは，バイアス電圧が超伝導ギャップ近傍にて負の磁気抵抗比が現... [more] | ED2012-140 SDM2012-169 pp.65-70 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 14:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-193 SDM2010-228 |
単電子箱と単電子ポンプを組み合わせた構造を持つ,新しい単電子冷却デハ&#... [more] | ED2010-193 SDM2010-228 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 10:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2010-203 SDM2010-238 |
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] | ED2010-203 SDM2010-238 pp.63-66 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2010-06-25 15:15 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修2号室 | 走査トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察 ○加納伸也・皆川慶嘉・東 康男（東工大/JST）・山田泰之・田中健太郎（名大/JST）・真島 豊（東工大/JST） EMD2010-12 CPM2010-26 OME2010-31 |
我々は走査トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy : STM)/走査トンネル分光(S... [more] | EMD2010-12 CPM2010-26 OME2010-31 pp.19-23 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 14:45 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 |
シリコン基板上に作製可能な単電子冷却デバイスを提案し，その単電子トンネル動作について理論的評価を行った．その構造は，単電... [more] | ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2009-204 SDM2009-201 |
我々は，強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う． ... [more] |
ED2009-204 SDM2009-201 pp.47-52 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array ○Yasuo Takahashi・Takuya Kaizawa・Mingyu Jo・Masashi Arita（Hokkaido Univ.）・Akira Fujiwar・Yukinori Ono（NTT）・Hiroshi Inokawa（Shizuoka Univ.）・Jung-Bum Choi（Chungbuk National Univ.） ED2009-83 SDM2009-78 |
シリコンナノドットアレイ構造における単電子効果を利用した高機能デバイスを実証した。このデバイスは、アレイ構造を取るため、... [more] | ED2009-83 SDM2009-78 pp.145-148 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 12:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire ○Mingyu Jo・Takuya Kaizawa・Masashi Arita（Hokkaido Univ.）・Akira Fujiwara・Yukinori Ono（NTT）・Hiroshi Inokawa（Shizuoka Univ.）・Jung-Bum Choi（Chungbuk National Univ.）・Yasuo Takahashi（Hokkaido Univ.） ED2009-94 SDM2009-89 |
We propose a simple method for the fabrication of Si single-... [more] | ED2009-94 SDM2009-89 pp.189-192 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 16:05 |
北海道 | 北海道大学 | 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性 ○滝口将志・速水翔太・大塚正喜・河合章生・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2008-229 SDM2008-221 |
本報告において，我々は単一電子デバイス用の「入力離散化器」を提案し，その応用例について述べる．入力離散化器は,1個の微小... [more] | ED2008-229 SDM2008-221 pp.29-34 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 ○曹 民圭・開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2008-233 SDM2008-225 |
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] | ED2008-233 SDM2008-225 pp.53-58 |
| OME | 2009-01-21 13:40 |
愛知 | 名古屋大学 | クーロンブロッケードエレクトロンシャトル素子におけるシャトル電流efの観察 ○小林昇洋・東 康男（東工大）・金原正幸・寺西利治（筑波大）・Simon Chorley・Jonathan Prance・Charles G. Smith（Univ. of Cambridge）・真島 豊（東工大/JST） OME2008-88 |
本研究では、クーロンブロッケードエレクトロンシャトル素子の構築を目的とし、走査型トンネル顕微鏡(STM)プローブ/真空/... [more] | OME2008-88 pp.33-38 |
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