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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| DC, CPSY (共催) |
2015-04-17 14:50 |
東京 | 明治大学中野キャンパス 高層棟3F, 312教室 | ［特別招待講演］高速パターンマッチング用ハードウエアについて ○笹尾 勤（明大）  CPSY2015-11 DC2015-11 |
高速パターンマッチング回路を, 複数の汎用メモリを用いて実現する方法について述べる. インデックス生成関数という概念を用... [more] | CPSY2015-11 DC2015-11 pp.59-66 |
| ICD | 2013-04-12 15:55 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM ○林 勇・天野照彦・渡邊直也・矢野祐二・黒田泰人・白田真也・堂阪勝己・新居浩二・野田英行・河合浩行（ルネサス エレクトロニクス） ICD2013-22 |
0.3Vマッチ線センスアンプ方式を用いた18Mbit TCAMを65nm バルクCMOSで設計、試作した。ダイサイズは9... [more] | ICD2013-22 pp.115-120 |
| ICD | 2012-04-24 10:25 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計 ○松永翔雲・羽生貴弘（東北大） ICD2012-9 |
高速な並列パターンマッチング処理を実現する専用ハードウェアであるTernary Content-Addressable ... [more] | ICD2012-9 pp.43-48 |
| ICD | 2012-04-24 10:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ ○根橋竜介・崎村 昇・辻 幸秀（NEC）・深見俊輔（東北大）・本庄弘明・齊藤信作・三浦貞彦・石綿延行（NEC）・木下啓蔵・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2012-10 |
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] | ICD2012-10 pp.49-54 |
| NS, ICM, CQ (併催) |
2010-11-19 13:20 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | 汎用メモリによる高速検索ハードウェアのコスト評価と最適パラメータの導出 ○財津和也（阪市大）・山本耕次（ルネサスデザイン）・黒田泰斗・井上一成（ルネサス エレクトロニクス）・阿多信吾・岡 育生（阪市大） NS2010-101 |
ルーティングテーブルの高速検索を実現するTCAM (Ternary Content Addressable Memory... [more] | NS2010-101 pp.75-80 |
| CAS, NLP (共催) |
2009-09-25 11:25 |
広島 | 広島大学東千田キャンパス | 3値多ポート連想メモリの開発とその応用例 ○熊木武志・今井雄太・小出哲士・マタウシュ ハンス ユルゲン（広島大） CAS2009-41 NLP2009-77 |
本稿では，高速，かつ柔軟な並列3値検索処理を実現する新しいメモリアーキテクチャである，3値多ポート連想メモリ(Terna... [more] | CAS2009-41 NLP2009-77 pp.97-102 |
| IN | 2007-12-13 16:15 |
広島 | 広島市立大学 | プレフィックス展開と比較回路の併用によるアクセス制御リストの効率的な管理 ○黄 恵聖（阪大）・山本耕次（ルネサステクノロジ）・阿多信吾（阪市大）・井上一成（ルネサステクノロジ）・村田正幸（阪大） IN2007-105 |
高速なパケット分類を実現するために，TCAM (Ternary Content Addressable Memory) ... [more] | IN2007-105 pp.37-42 |
| CPSY | 2007-10-25 15:10 |
熊本 | 熊本大学 | CAMを有する超並列SIMD型演算プロセッサによる効果的なマルチメディアデータ処理について ○熊木武志・石崎雅勝・田上正治・小出哲士・マタウシュ ハンス ユルゲン（広島大）・行天隆幸・野田英行・黒田泰斗・堂阪勝己・有本和民・齊藤和則（ルネサステクノロジ） CPSY2007-27 |
マルチメディア環境の発展で，モバイル機器搭載LSIには，ユーザニーズを満たすための高速処理，仕様の変化に耐えうるプログラ... [more] | CPSY2007-27 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-02 10:10 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性３値連想メモリ ○植村哲也・丸亀孝生・松田健一・山本眞史（北大） |
Co$_{50}$Fe$_{50}$/MgO/Co$_{50}$Fe$_{50}$構造を有するエピタキシャル強磁性トンネ... [more] | ED2006-250 SDM2006-238 pp.57-62 |
| CAS, SIP, VLD (共催) |
2005-06-28 14:25 |
宮城 | 東北大学 | TMRロジックに基づくビット並列大小比較CAMの構成と評価 ○庄子耕平・羽生貴弘（東北大） |
MRAMに用いられるトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子が可変抵抗素子と見なせることに着目し, これをトランジスタと直並列... [more] | CAS2005-24 VLD2005-35 SIP2005-48 pp.55-59 |
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