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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-26 15:30 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］InP化合物半導体を用いた光通信/無線通信用超高速アナログフロントエンドIC技術 ○徐 照男・長谷宗彦・濱田裕史・脇田 斉・アブド イブラヒム・来山大祐・パンダー アダム・白鳥悠太・武藤美和・堤 卓也・高橋宏行（NTT）  ED2023-81 MW2023-173 |
信トラフィックの持続的な増大に伴うネットワークの高速大容量化への要求に応えるために、光送受信機/無線送受信機を構成するア... [more] | ED2023-81 MW2023-173 pp.81-86 |
| EE, IEE-SPC (連催) |
2023-07-20 13:00 |
兵庫 | デザインクリエイティブセンター神戸（KIITO） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］車載用パワーエレクトロニクスの最新技術動向と磁性部品応用による高性能化 ○今岡 淳（名大） EE2023-9 |
近年、カーボンニュートラル実現が世界的な関心事になっている。 特にカーボンニュートラルに大きく寄与するパワーエレクトロニ... [more] | EE2023-9 pp.1-50 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 13:50 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研） EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 pp.9-10 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-26 14:45 |
徳島 | 徳島大学 | ［招待講演］半導体多層薄膜を使った結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子 ○北田貴弘・南 康夫・盧 翔孟（徳島大） EID2016-33 |
３つのブラッグ反射多層膜と２つの等価な共振器層で構成する化合物半導体多層膜結合共振器を使った新しいテラヘルツ発光素子を提... [more] | EID2016-33 pp.33-36 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 11:05 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上Ⅲ－Ⅴチップ間の光伝搬 ○コ シチン・雨宮智宏（東工大）・石川 篤（理研）・渥美裕樹（産総研）・姜 晙炫・平谷拓生・林 侑介・鈴木純一・西山伸彦（東工大）・田中拓男（理研）・荒井滋久（東工大） OPE2014-143 LQE2014-130 |
本稿ではフレキシブルなチップ間光伝送実現に向け、紫外線硬化樹脂を用いた三次元光配線法であるフォトニックワイヤボンディング... [more] | OPE2014-143 LQE2014-130 pp.21-26 |
| CPM | 2013-08-01 16:05 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 高効率太陽電池の研究開発動向と今後の展望 ○山口真史（豊田工大） CPM2013-39 |
今後を担う太陽電池の高効率化について，結晶シリコン，薄膜Si，CIGS およびCdTe等II-VI族化合物半導体，III... [more] | CPM2013-39 pp.1-6 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| OPE, LQE (共催) |
2010-06-25 14:05 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修1号室 | ［招待講演］インジウム燐および関連材料国際会議(IPRM 2010)報告 ○篠田和典（日立） OPE2010-14 LQE2010-16 |
本年5月31日～6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM 2010)の注目論文や技術... [more] | OPE2010-14 LQE2010-16 p.1 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 09:25 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長 ○山口雅史・白 知鉉・市橋弘英・堀内 功（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 |
我々は，光-電子集積回路（OEIC）やMEMSへの応用を考えて分子線エピタキシー（MBE）法とVapor-Liquid-... [more] | ED2009-27 CPM2009-17 SDM2009-17 pp.49-52 |
| LQE | 2008-12-12 15:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 ○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大） LQE2008-138 |
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望... [more] | LQE2008-138 pp.53-58 |
| SDM | 2008-06-09 14:40 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 ○大野泰夫（徳島大） SDM2008-43 |
化合物半導体は、高移動度と言うことでシリコンデバイスを超える次世代デバイスと期待されてきた。実際に衛星放送受信用低雑音F... [more] | SDM2008-43 pp.7-12 |
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