| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 13:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果 ○山崎雄也・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹（弘前大）  CPM2023-105 |
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] | CPM2023-105 pp.38-41 |
| MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-27 10:30 |
新潟 | 新潟大学(駅南キャンパスときめいと) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性 ○山崎雄也・佐々木祐弥・中澤日出樹（弘前大） MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 |
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] | MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 pp.33-36 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 11:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ○志村政英・安部功二（名工大） ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 |
あらまし 金属水酸化物は，難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり，その多くは電気化学堆積やゾ... [more] | ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 pp.23-26 |
| CPM | 2021-10-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 ○佐々木祐弥・長内公哉・大谷優介・室野優太・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史・中澤日出樹（弘前大） CPM2021-26 |
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] | CPM2021-26 pp.23-28 |
| CPM | 2021-10-27 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積 ○浦上法之・高島健介・橋本佳男（信州大） CPM2021-28 |
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] | CPM2021-28 pp.31-35 |
| CPM | 2019-11-07 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2019-46 |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] | CPM2019-46 pp.9-14 |
| CPM | 2019-11-07 15:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | ［招待講演］触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長 ○安井寛治（長岡技科大） CPM2019-48 |
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と... [more] | CPM2019-48 pp.21-26 |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2018-11-09 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション ○望月和浩・紀 世陽・小杉亮治・米澤喜幸・奥村 元（産総研） SDM2018-70 |
化学的気相堆積（CVD）を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレー... [more] | SDM2018-70 pp.29-34 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 14:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2018-52 |
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] | CPM2018-52 pp.99-104 |
| CPM | 2018-08-09 14:30 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-8 |
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] | CPM2018-8 pp.1-6 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法（CVD）により，c面サファイア基板上に窒化ガリウム（GaN）薄膜の... [more] | EID2017-31 pp.5-8 |
| CPM | 2017-10-04 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | r面サファイア基板上に成長させた単層カーボンナノチューブの自由電子レーザ照射効果 ○シャーマ ロヒト・保延賢人・高橋祐貴・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2017-59 |
ｒ面単結晶サファイア基板を用いてホットウォール化学気相成長(Hot-Wall Type Chemical Vapor D... [more] | CPM2017-59 pp.1-4 |
| CPM | 2017-10-04 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 金属インターカレートした2層グラフェンの電気特性と高圧印加による効果 ○倉金夏己・荒木伊久磨・鈴木雅登・永田知子・岩田展幸・高橋博樹・山本 寛（日大） CPM2017-60 |
Cu箔上にCVD法を用いて単層グラフェンを作製した。Cu箔は、Fe(NO)3溶液によってエッチングした。単層グラフェンは... [more] | CPM2017-60 pp.5-10 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 | 徳島大学 | Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって，c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] | EID2016-45 pp.125-128 |
| CPM | 2016-11-18 16:40 |
石川 | 金沢工大 扇が丘キャンパス | 自由電子レーザー照射によってカイラリティ制御された面内配向単層カーボンナノチューブの電気特性 川口大貴・保延賢人・石川翔梧・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） CPM2016-68 |
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びSiO2/Si基板を用いて... [more] | CPM2016-68 pp.35-40 |
| CPM | 2016-10-05 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | 金属層をインターカレートした二層グラフェンの作製と電気特性 ○倉金夏己・星野 崚・櫻井亮太・山岸多門・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2016-55 |
単層グラフェンを積み重ねることでグラフェン層間化合物を作製した。単層グラフェンの作製には、CVD法化学気相成長(Chem... [more] | CPM2016-55 pp.1-6 |
| CPM | 2016-10-05 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 自由電子レーザー照射下で成長させた単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御及び電気特性 ○保延賢人・川口大貴・石川翔梧・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2016-56 |
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びSiO2/Si基板を用いて... [more] | CPM2016-56 pp.7-11 |
| SDM | 2016-06-29 17:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京） SDM2016-47 |
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] | SDM2016-47 pp.79-84 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2016-06-17 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 2層グラフェン層間化合物の電気特性のFeインターカレート濃度依存性 ○星野 崚・倉金夏己・櫻井亮太・山岸多門・永田知子・岩田展幸・山本 寛（日大） EMD2016-12 CPM2016-19 OME2016-22 |
化学気相成長(Chemical Vapor Deposition: CVD)法で単層グラフェン(Single layer... [more] | EMD2016-12 CPM2016-19 OME2016-22 pp.23-27 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]