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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
17:05
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング
渡邉時暢富山大)・堀 匡寛小野行徳静岡大ED2017-115 SDM2017-115
0.3-300Kの温度範囲においてSOI基板上に作製したゲート付p-i-nダイオードにチャージポンピング法を応用し,10... [more] ED2017-115 SDM2017-115
pp.51-56
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:25
北海道 北海道大学百年記念会館 Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング
渡辺時暢静岡大/富山大)・堀 匡寛・○小野行徳静岡大ED2016-131 SDM2016-148
チャージポンピング(CP)中の過渡電流をモニターする実時間CPをゲート付きsilicon-on-insulator(SO... [more] ED2016-131 SDM2016-148
pp.7-12
SDM 2017-01-30
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ~ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ~
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大SDM2016-138
モノのインターネット(IoT)においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] SDM2016-138
pp.33-36
SDM 2016-11-10
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC トレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究
手賀直樹久本 大島 明生嶋本泰洋日立SDM2016-80
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] SDM2016-80
pp.9-14
SDM 2016-11-11
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ~ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ~
土屋敏章島根大SDM2016-86
チャージポンピング(CP)法で,単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて,全く新しい視点でト... [more] SDM2016-86
pp.43-47
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
16:20
北海道 北海道大学百年記念会館 シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング
渡辺時暢堀 匡寛小野行徳富山大ED2015-125 SDM2015-132
SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し,100K以下の温... [more] ED2015-125 SDM2015-132
pp.23-26
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
14:40
北海道 北海道大学(百年記念会館) 実時間チャージポンピングの精度評価
渡辺時暢堀 匡寛富山大)・土屋敏章島根大)・小野行徳富山大ED2014-140 SDM2014-149
チャージポンピング(CP)はMOSFETの界面欠陥密度を評価するために用いられる手法である.CP法は周期的なパルスをゲー... [more] ED2014-140 SDM2014-149
pp.13-16
SDM 2007-12-14
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定
岡本 大矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-234
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング(CP)測定を行った.nチャネルMOSFETに対し... [more] SDM2007-234
pp.51-54
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