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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
10:20
ONLINE オンライン開催 静電容量を利用した液滴の接触角推定における対応範囲拡大の検討
小谷口朋大土谷 亮井上敏之岸根桂路滋賀県立大VLD2020-29 ICD2020-49 DC2020-49 RECONF2020-48
本研究では液滴の接触角を電気的な回路のみで0度から180度付近までの範囲を推定する手法を考案した。先行研究では2種類の電... [more] VLD2020-29 ICD2020-49 DC2020-49 RECONF2020-48
pp.106-109
MW 2018-06-21
15:55
富山 サンシップとやま 機械学習を用いた車載ワイヤーハーネスのキャパシタンス行列計算
關根惟敏静岡大MW2018-21
本稿では,車載ワイヤーハーネスのキャパシタンス行列の計算を,機械学習を用いて効率的に行う方法を提案する.車載ワイヤーハー... [more] MW2018-21
pp.19-24
EMCJ 2017-01-19
12:35
福岡 九州工業大学 マイクロストリップ線路における遠端クロストーク低減技術 ~ 最適付加容量の算出 ~
森 慶明佐々木伸一佐賀大EMCJ2016-108
近年,情報機器の小型化そして多機能化に伴い,隣接信号線路で発生する,遠端クロストークの影響が問題となっている.本研究室で... [more] EMCJ2016-108
pp.1-4
MW 2015-11-19
14:45
沖縄 琉球大 オペアンプ型Negative Impedance Converterを用いた負性キャパシタンスの生成
山中翔司松本賢一堀井康史関西大MW2015-126
負性インピーダンス変換器 (NIC)を用いてNon-Foster素子(負性キャパシタ,負性インダクタ)を作る研究がある.... [more] MW2015-126
pp.35-40
EE, IEE-SPC
(連催)
2014-07-11
11:30
広島 広島工業大学 直流電路開極時の静電容量やインダクタンスによる影響
久保直也西村和則広島工大)・森田祐志谷口和彦きんでんEE2014-14
直流配線の安全性に関する研究において,直流回路に含まれるキャパシタンス及びインダクタンスが異なる条件により,開路時のアー... [more] EE2014-14
pp.51-56
AP 2014-05-30
14:35
沖縄 沖縄産業支援センター 金属板装荷キャパシタンスグリッドを用いたAMC基板の2周波共用の検討
岩片周平牧野 滋野口啓介廣田哲夫伊東健治小鷹柾樹金沢工大)・諸谷徹郎金沢高専AP2014-37
金属板装荷キャパシタンスグリッドを用いたAMC 基板について,2周波共用の条件,設計パラメータとPMC周波数の関係を明ら... [more] AP2014-37
pp.95-98
AP 2013-08-29
14:50
神奈川 ヴェルクよこすか Non-Foster回路を用いたリアクタンス特性の制御
堀井康史金子卓也高木渉吾松原里紗関西大AP2013-66
近年,Negative Impedance Converter (NIC)を用いて負性インダクタンスや負性キャパシタンス... [more] AP2013-66
pp.25-30
EMCJ 2012-01-27
15:05
福岡 九州大学 容量付加による遠端クロストーク低減法
寺島一彰佐々木伸一福田晃宏佐賀大EMCJ2011-126
情報機器の高速化・小型化に伴い,並行する線路間におけるクロストーク低減は,重要な課題の1つとなっている.本研究室では,並... [more] EMCJ2011-126
pp.87-92
SDM 2011-10-21
14:50
宮城 東北大学未来研 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討
中久保義則江利口浩二松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-111
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] SDM2011-111
pp.79-84
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
15:30
愛知 名古屋工業大学 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価
鬼頭孝輔加藤正史市村正也名工大ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
pp.101-106
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