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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-11-10
14:40
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]GaNの高電界物性の精密評価 ~ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ~
前田拓也東大SDM2023-72
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には,正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] SDM2023-72
pp.41-46
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:55
ONLINE オンライン開催 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
pp.79-82
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
EMD, R
(共催)
2021-02-12
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]電子デバイスに対する信頼性物理の諸課題 ~ 物理的に解明が必要な故障メカニズム ~
門田 靖リコーR2020-37 EMD2020-28
半導体デバイスをはじめ電子デバイスの多くは,市場の様々な分野・用途で使われている.現在市場で発生している電子デバイスの故... [more] R2020-37 EMD2020-28
pp.19-24
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:30
ONLINE オンライン開催 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
神谷俊佑西谷高至松田 悠高野 望ジョエル タクラ アスバル徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
pp.45-48
SSS 2019-09-24
13:00
東京 機械振興会館 レーザ焼結によるAM造形物の絶縁破壊特性の解析
新井宏章山内友貴上野武司都立産技研センターSSS2019-17
AM(3Dプリンタ)は複雑形状の部品を容易に設計・試作可能であり,様々な分野で活用されている.近年,試作だけでなく実用部... [more] SSS2019-17
pp.1-4
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
16:10
京都 京大桂キャンパス AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討
鈴木雄大山崎泰誠牧野伸哉ジョエル アスバル徳田博邦葛原正明福井大ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80
pp.35-39
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:25
東京 機械振興会館 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析
塙 秀之小野寺 啓堀尾和重芝浦工大ED2012-123 MW2012-153
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性を2次元数値解析し,その結果... [more] ED2012-123 MW2012-153
pp.57-62
ED, MW
(共催)
2012-01-12
12:50
東京 機械振興会館 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
小野寺 啓中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2011-133 MW2011-156
ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元数値解析を行い,耐... [more] ED2011-133 MW2011-156
pp.81-85
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
EMCJ
(第二種研究会)
2010-05-28
14:00
宮城 東北大学サイバーサイエンスセンター Measurement of the radiated electromagnetic filed intensity using spherical electrodes and a horn antenna
Ken KawamataHachinohe Inst. of Tech.)・Shigeki MinegishiTohoku Gakuin Univ.)・Osamu FujiwaraNIT
The micro-gap discharge as the low voltage ESD shows very fa... [more]
SDM 2010-02-05
16:45
東京 機械振興会館 Cu/Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価
山口敦子龍崎大介武田健一日立)・川田洋揮日立ハイテクノロジーズSDM2009-192
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-... [more] SDM2009-192
pp.59-63
EMCJ, IEE-EMC
(共催)
2009-12-18
14:15
岐阜 核融合科学研究所 低電圧ESDによって発生する放射電磁波の強度特性に関する一考察
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大
おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じる静電気放電ESDなどのマイクロギャップ放電に着目し,放電に伴って外... [more] EMCJ2009-95
pp.59-64
AP 2009-09-04
14:50
青森 八戸工大 マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度とそのバラつきに関する一考察
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大AP2009-100
静電気放電(ESD)あるいは電気接点放電などのうち,おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイクロギャッ... [more] AP2009-100
pp.121-124
EMD, EMCJ
(共催)
2009-05-22
14:15
東京 日本工業大学 神田キャンパス マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度と電極表面状態の関係
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大EMCJ2009-17 EMD2009-9
ESD静電気放電あるいは電気接点の閉成などに伴い広帯域に及ぶ電磁波が発生する.また,比較的に低い電圧においても電磁妨害が... [more] EMCJ2009-17 EMD2009-9
pp.45-48
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
11:15
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計
酒井亮輔岡井智隆塩島謙次葛原正明福井大ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーシ... [more] ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118
pp.109-114
EMCJ, EMD
(共催)
2008-07-18
14:40
東京 機械振興会館 1kV以下のマイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度の実験的検討
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹芳賀 昭東北学院大)・藤原 修名工大EMCJ2008-45 EMD2008-27
あらまし ESD(静電気放電)あるいは電気接点放電などのうち、おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイ... [more] EMCJ2008-45 EMD2008-27
pp.27-30
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
11:40
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
Tadayoshi DeguchiNew Japan Radio)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2008-41 SDM2008-60
 [more] ED2008-41 SDM2008-60
pp.9-14
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
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