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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| US | 2015-09-03 15:50 |
北海道 | 第一滝本館 （北海道登別） |
イオンビームアシストRFマグネトロンスパッタ法を用いて作製したc軸平行配向ScAlN薄膜の電気機械結合係数 ○岡 峰生・高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）・松川真美（同志社大）  US2015-51 |
近年，Scを43%ドープしたAlN薄膜の圧電定数d33が5倍に増加すると報告された．我々は，これまでにc軸垂直配向ScA... [more] | US2015-51 pp.31-35 |
| WPT | 2015-06-12 18:40 |
東京 | 東京大学 | 無線電力伝送のための電磁波ビームの解析 ○宇野 孝・柴田国明・三枝健二・高野 忠（日大） WPT2015-35 |
比較的近距離で無線電力伝送を行う試みがなされている。この場合，ビームの90%以上を受電アンテナに収める必要があるため，ビ... [more] | WPT2015-35 pp.81-85 |
| EMCJ, WPT (併催) |
2015-01-23 14:00 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 | 比較的短距離のための無線ビーム電力伝送システム ○高野 忠・宮崎康行・三枝健二（日大）・藤野義之（東洋大）・牧 謙一郎（JAXA）・古川 実（日本電業工作） WPT2014-85 |
本稿はエネルギーを比較的短距離で、電波ビームによりワイヤレスで輸送するシステム・技術を提案する。入力される電力はマイクロ... [more] | WPT2014-85 pp.43-47 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 16:35 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズ サレ（静岡大/学振）・下村 勝・石田明広・池田浩也（静岡大） ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 |
Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために，収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGa... [more] | ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29 pp.33-37 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| US | 2011-11-24 14:25 |
静岡 | 東海大学清水キャンパス 海洋学部１号館２階大会議室 | 超音波ゼロCTE温度計測システムにより評価したEUVLシステム用TiO2-SiO2超低膨張ガラス ○櫛引淳一・荒川元孝・大橋雄二・丸山由子（東北大） US2011-71 |
我々は、TiO2-SiO2超低膨張(ULE)ガラスのゼロCTE温度{T(zero-CTE)}を超精密に計測するための超音... [more] | US2011-71 pp.31-36 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:20 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホ... [more] | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 pp.37-40 |
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