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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
09:55
福井 福井市地域交流プラザ 標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性
飯山宏一ズル アトフィ ファウザン モハメド ナピア菱木拓哉金沢大LQE2016-9
標準CMOSプロセスで作製されたAPD (CMOS-APD)は10,V以下の電圧で高いアバランシェ利得と1,GHz以上の... [more] LQE2016-9
pp.37-41
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
17:00
石川 金沢大学角間キャンパス 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性
霜鳥敏之刑部遼一丸山武男飯山宏一金沢大LQE2013-16
集積回路の更なる高速化および低電力化に向けた集積回路と光デバイスとの集積化を目的として、標準0.18 m... [more] LQE2013-16
pp.71-74
CS, OCS
(併催)
2012-01-26
14:55
三重 伊勢市観光文化会館 波長多重を用いた高速量子鍵配付システムのフィールド伝送実験
吉野健一郎NEC)・藤原幹生NICT)・田中聡寛高橋成五南部芳弘NEC)・富田章久北大)・三木茂人山下太郎王 鎮佐々木雅英NICT)・田島章雄NECOCS2011-111
波長多重技術と専用の鍵蒸留ハードウェアを用いた高速量子鍵配付システムを開発した。データの符号化に使用する干渉計を8波長で... [more] OCS2011-111
pp.35-38
LQE, OPE
(共催)
2011-06-30
16:40
東京 機械振興会館 10G-EPON用APDの開発
笹畑圭史中路雅晴庵原 晋山路和樹菊地真人武鈴木大輔佐久間 仁國次恭宏石村栄太郎杉立厚志三菱電機OPE2011-27 LQE2011-27
我々は、10G-EPON ONU用受光素子として、モジュール作製時の光結合が容易な大受光径(φ40 μm)の表面入射型A... [more] OPE2011-27 LQE2011-27
pp.65-69
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
10:50
大阪 大阪大学 InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作
名田允洋村本好史横山春喜重川直輝児玉 聡NTTPN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
アバランシェフォトダイオード (APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するた... [more] PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
pp.103-106
OFT, OPE
(共催)
2009-03-06
14:20
東京 機械振興会館 InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定
石原 純立命館大)・中田武志NEC)・笠原健一立命館大)・牧田紀久夫NECOFT2008-95 OPE2008-195
数Gbps光通信用アバランシェフォトダイオードの過剰雑音とイオン化率比を測定した。これらの値を高い精度で測定するために差... [more] OFT2008-95 OPE2008-195
pp.45-50
OPE 2006-05-19
13:50
東京 機械振興会館 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード
渡辺さわき芝 和宏水木恵美子中田武志牧田紀久夫NEC
アバランシェフォトダイオード(APD)は、ギガビット帯小型受信器のキーデバイスである。近年、光アクセス系においても高感度... [more] OPE2006-9
pp.11-15
IT, WBS, ISEC
(共催)
2005-03-17
16:35
京都 京大 APDを用いたM値EWO-MPSC光CDMAシステムに関する一考察
櫛引 理長尾 剛職能開発大)・落合 昇コンピュータシステムエンジニアリング)・松嶋智子寺町康昌職能開発大
光CDMA方式の一つである2値EWO-MPSC方式は,同期システムにおいて他ユーザ干渉による誤りを完全に取り除く方式であ... [more] IT2004-68 ISEC2004-124 WBS2004-183
pp.107-112
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