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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE | 2024-01-19 09:30 |
鹿児島 | 宝山ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高効率(over 98%)・高電圧比フローティング4相インターリーブチャージポンプ双方向DC-DCコンバータ ○劉 士強・三島智和（神戸大）・頼 慶明（中興大）  EE2023-46 |
本稿では広降圧/昇圧電圧比を備えた新型のフローティング4相インターリーブチャージポンプ双方向dc-dcコンバータ（4F-... [more] | EE2023-46 pp.37-42 |
| EE | 2019-01-16 13:20 |
熊本 | 熊本市国際交流会館 | 非対称時比率制御D^2級無線電力伝送システムの解析と設計 ○三田将平・関屋大雄（千葉大） EE2018-42 |
本稿では負荷変動と送受電コイルの位置ずれを考慮した非対称時比率制御D2 級無線電力伝送システムの解析と設計を行う. イン... [more] | EE2018-42 pp.25-30 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| EE | 2018-01-29 13:15 |
大分 | サテライトキャンパスおおいた (大分市) | ［ポスター講演］非対称時比率制御D級ZVSインバータを用いた無線電力伝送システムの解析 ○三田将平・関屋大雄（千葉大） EE2017-50 |
本稿では非対称時比率制御D 級ZVS インバータとE 級整流器を用いた無線電力伝送システムの解析と設計を行う. 非対称制... [more] | EE2017-50 pp.47-52 |
| SDM | 2011-11-11 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～ ○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） SDM2011-123 |
キャリア輸送のチャネル形状依存性をモンテカルロ／分子動力学（EMC/MD）シミュレーションにより調査した．非対称なホーン... [more] | SDM2011-123 pp.45-50 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:30 |
富山 | 富山県民会館 | 動的基板制御による非対称SRAM ○藪内 誠・塚本康正・藤原英弘・前川考志・五十嵐元繁・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-93 ICD2011-61 |
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar... [more] | SDM2011-93 ICD2011-61 pp.115-120 |
| SDM | 2010-06-22 15:15 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-44 |
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] | SDM2010-44 pp.61-65 |
| ICD | 2010-04-22 09:50 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ～ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ～ ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・平野有一・岩松俊明・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-2 |
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] | ICD2010-2 pp.7-12 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 ～ 究極のプレーナー型MOSFET ～ ○井本 努・舘下八州志・小林敏夫（ソニー） |
新しい非対称raised source/drain extension型MOSFET構造を提案する。この構造では、gro... [more] | VLD2006-45 SDM2006-166 pp.37-42 |
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