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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICTSSL, CAS
(共催)
2024-01-25
13:15
神奈川 東海大学(湘南キャンパス)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]高速高分解能低電力A/D変換器の集積回路技術及びディジタル補正技術
大島 俊日立CAS2023-89 ICTSSL2023-42
AIの急速な進展により,様々なセンサのアナログ信号を高品質のディジタルデータとして取得することが,これまで以上に重要とな... [more] CAS2023-89 ICTSSL2023-42
pp.34-39
EE, IEE-SPC, IEE-EDD
(併催)
2017-11-21
10:45
鹿児島 鹿児島大学 電圧遷移波形を用いた電流センサレスZVSアシスト制御の実機検証
高橋将也山口宜久高橋英介大林和良デンソー)・西嶋仁浩大分大EE2017-41
DCDCコンバータの効率を低下させる主要因であるスイッチング損失を低減する手法にZVSアシスト方式がある.この方式はスイ... [more] EE2017-41
pp.33-38
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
09:45
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]AI時代に向けたCMOSアナログ集積回路技術
松岡俊匡阪大SDM2016-55 ICD2016-23
本発表では,デジタル支援アナログ回路技術を基盤として,
AI時代に向けて,遺伝的アルゴリズムによる無線送信ICの特性向... [more]
SDM2016-55 ICD2016-23
pp.59-61
SDM 2015-01-27
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
藪内 誠森本薫夫塚本康正田中信二田中浩司田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2014-144
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] SDM2014-144
pp.37-40
ICD 2012-12-18
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]CMOSアナデジ混載回路とその応用
香西昌平東芝ICD2012-118
近年のアナログCMOS集積回路はデジタル回路との関わりが密接になり、様々なことが可能となった。そのCMOS回路、特にデジ... [more] ICD2012-118
pp.115-120
VLD 2010-09-27
16:30
京都 京都工繊大 60周年記念館 [招待講演]ディジタルアシストアナログ回路向けの自動テスト生成フレームワーク
小松 聡Mohamed Abbas東大)・古川靖夫アドバンテスト)・浅田邦博東大VLD2010-46
本稿では、高速シリアルリンク内の適応型イコライザを題材としてディジタルアシストアナログ回路技術を用いた回路向けの自動テス... [more] VLD2010-46
pp.25-30
ICD, ITE-IST
(連催)
2010-07-22
14:00
大阪 常翔学園大阪センター [招待講演]デジタルアシスト・アナログテスト技術 ~ ナノCMOS時代のアナログ回路テスト技術 ~
小林春夫山口隆弘群馬大ICD2010-27
ここではミックストシグナルSoCのアナログ部のテストに関して
現状と問題点を示し,次の2つの内容について考察する.~
... [more]
ICD2010-27
pp.37-42
ICD 2010-04-22
10:50
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクスICD2010-3
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more]
ICD2010-3
pp.13-16
SDM [詳細] 2008-11-14
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジSDM2008-178
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] SDM2008-178
pp.55-60
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジSDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
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