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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 10:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロウェーブを用いたプラズマ支援型低温ALDによる窒化アルミニウムの試作と評価 ○髙橋知也・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）  CPM2023-99 |
窒化アルミニウムは広いバンドギャップと水・酸素への安定性からデバイスのパッシベーション膜等への応用が期待されている。本実... [more] | CPM2023-99 pp.11-14 |
| ED | 2023-12-08 09:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響 ○六川 蓮・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村田博雅・村上勝久（産総研） ED2023-48 |
平面型グラフェン電子源は，電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] | ED2023-48 pp.39-42 |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用 ○福島孝晃・ホセ ピエドラ ロレンサナ・土谷 塁・飛沢 健・石川靖彦（豊橋技科大） ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 |
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] | ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17 pp.13-16 |
| MW | 2022-03-03 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナ ○小松郁弥・桔川洸一・麦谷彰彦・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大） MW2021-117 |
本報告では，放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナについて報告する．先端短絡スタブ装荷高インピーダン... [more] | MW2021-117 pp.36-41 |
| CPM | 2019-08-26 15:50 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大） CPM2019-42 |
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] | CPM2019-42 pp.23-28 |
| CPM | 2018-08-09 14:50 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴（弘前大） CPM2018-9 |
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] | CPM2018-9 pp.7-12 |
| CPM | 2018-08-09 15:10 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹（弘前大） CPM2018-10 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | CPM2018-10 pp.13-16 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-08-31 13:55 |
青森 | 弘前文化センター | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 ○奈良友奎・成田舜基・中澤日出樹（弘前大） R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 pp.7-10 |
| CPM | 2015-08-10 13:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹（弘前大） CPM2015-31 |
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] | CPM2015-31 pp.1-5 |
| CPM | 2015-08-10 14:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-33 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] | CPM2015-33 pp.11-14 |
| CPM | 2014-09-04 13:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大） CPM2014-76 |
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] | CPM2014-76 pp.7-12 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] | ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 pp.51-55 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大） ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は，結晶場相互作用によって既約 表現がΓ1 とΓ5 ... [more] |
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 pp.77-80 |
| CPM | 2011-08-10 13:00 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 ○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-56 |
KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基... [more] | CPM2011-56 pp.1-6 |
| CPM | 2010-07-30 10:20 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 ○中澤日出樹・鈴木大樹・遲澤遼一・岡本 浩（弘前大） CPM2010-38 |
KrFエキシマレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にAlN... [more] | CPM2010-38 pp.39-44 |
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