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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2017-02-24 16:45 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 ○富田基裕（早大/明大/学振）・小椋厚志（明大）・渡邉孝信（早大）  ED2016-141 SDM2016-158 |
本研究ではSiGe、GeSnおよびSiSn混晶用原子間ポテンシャルを作成し、分子動力学(MD)法を用いてSiGe、GeS... [more] | ED2016-141 SDM2016-158 pp.61-66 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 11:10 |
北海道 | 小樽経済センター | 発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現 ○冬木琢真・吉田憲司・吉岡 諒・吉本昌広（京都工繊大） R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 |
半導体半金属混晶GaAs1-xBixは，Bi混入によって禁制帯幅(Eg)の減少や，Egの低い温度依存性を示し，発振波長が... [more] | R2014-40 EMD2014-45 CPM2014-60 OPE2014-70 LQE2014-44 pp.87-90 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 15:55 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | デバイス応用に向けたコランダム構造酸化物半導体の電気特性評価 ○金子健太郎・鈴木規央・李 三東・北島雅士・赤岩和明・藤田静雄（京大） |
コランダム構造をもつ酸化物は現在のところ8種類存在するが, その中でも電気伝導性を有するものは少ない. α-In2O3は... [more] | |
| LQE | 2011-12-16 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2011-127 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2011-127 pp.21-24 |
| LQE | 2010-12-17 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2010-124 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2010-124 pp.47-50 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-13 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ○早川泰弘・ムカンナン アリバナンドハン・ゴビンダサミー ラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木 徹・田中 昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA） ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 |
InGaSb混晶半導体の溶解と成長に対する重力効果を明らかにするために、GaSb-InSb-GaSbサンドイッチ構造試料... [more] | ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23 pp.33-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 14:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大） ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 |
分子線蒸着法によりガラス基板上に基板温度240℃及び350℃でGa組成x = 0～1のGaxIn1-xAs多結晶を約1μ... [more] | ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118 pp.51-56 |
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