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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大）  ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| ED | 2007-11-27 14:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・山下良美（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）・松井敏明（NICT） ED2007-190 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し，そのDC，... [more] | ED2007-190 pp.17-21 |
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