お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 21件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
15:15
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析
細川大志井川裕介木尾勇介敖 金平大野泰夫徳島大ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105
pp.43-48
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
16:40
愛知 名古屋大学 VBL GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~
杉山貴之本田善央山口雅史天野 浩名大)・磯部康裕押村吉徳岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大)・今出 完北岡康夫森 勇介阪大ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
pp.175-178
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター 低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
pp.67-70
ED 2010-06-17
14:25
石川 北陸先端大 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析
鈴木寿一田中成明北陸先端大ED2010-36
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] ED2010-36
pp.17-20
ED 2010-06-17
14:50
石川 北陸先端大 リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価
向野美郷山田直樹徳田博邦葛原正明福井大ED2010-37
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] ED2010-37
pp.21-24
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
11:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析
黒田健太郎井川裕介光山健太敖 金平大野泰夫徳島大ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研... [more] ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130
pp.109-114
ED 2009-07-30
15:50
大阪 大阪大学(銀杏会館) オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御
野崎兼史高橋義也敖 金平大野泰夫徳島大ED2009-107
オープンゲートAlGaN/GaN HFETのゲート部を酸、アルカリなどの電解質溶液に浸け、電解質溶液に各種金属板を介して... [more] ED2009-107
pp.29-32
ED 2009-06-11
16:25
東京 東京工業大学 MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化
前田就彦廣木正伸榎木孝知NTT)・小林 隆NTT-ATED2009-42
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more] ED2009-42
pp.31-36
MW, ED
(共催)
2009-01-16
10:20
東京 機械振興会館 In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET
黒田正行村田智洋中澤敏志瀧澤俊幸西嶋将明柳原 学上田哲三田中 毅パナソニックED2008-220 MW2008-185
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] ED2008-220 MW2008-185
pp.125-128
MW 2008-08-28
14:20
大阪 大阪大学(豊中) サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
村田智洋黒田正行松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・西嶋将明石田秀俊柳原 学上田哲三酒井啓之田中 毅松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] MW2008-85
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
11:40
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
Tadayoshi DeguchiNew Japan Radio)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2008-41 SDM2008-60
 [more] ED2008-41 SDM2008-60
pp.9-14
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
09:25
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]Recent Advances on GaN Vertical Power Device
Tetsu KachiToyota Central R&D Labs., Inc.ED2008-72 SDM2008-91
Two types of the vertical device structure have been develo... [more] ED2008-72 SDM2008-91
pp.171-175
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道 かでる2・7(札幌) AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
Tomohiro MurataMasayuki KurodaMatsushita Electric Industrial)・Shuichi NagaiPanasonic Boston Lab.)・Masaaki NishijimaHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaHiroyuki SakaiTsuyoshi TanakaMatsushita Electric Industrial)・Ming LiPanasonic Boston Lab.ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] ED2008-103 SDM2008-122
pp.331-335
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
09:25
福井 福井大学 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ
黒田正行上田哲三田中 毅松下電器ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で... [more] ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67
pp.53-56
ED 2007-06-16
10:35
富山 富山大学 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
田中成明北陸先端大)・住田行常パウデック)・鈴木寿一北陸先端大ED2007-43
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] ED2007-43
pp.67-70
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
15:45
京都 京都大学 XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
小野島紀夫東脇正高NICT)・須田 淳木本恒暢京大)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62
pp.35-38
ED, MW
(共催)
2006-01-19
13:20
東京 機械振興会館 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET
出口忠義脇 英司小野 悟山下明一鎌田 厚中川 敦新日本無線)・石川博康江川孝志名工大
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] ED2005-203 MW2005-157
pp.23-27
ED, MW
(共催)
2006-01-19
14:10
東京 機械振興会館 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作
黒田正行石田秀俊上田哲三田中 毅松下電器
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more] ED2005-205 MW2005-159
pp.35-39
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
 21件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会