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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京
機械振興会館
低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
○
吉本 晋
・
石原邦亮
・
岡田政也
・
住吉和英
・
平野英則
・
三橋史典
・
善積祐介
・
石塚貴司
・
木山 誠
・
上野昌紀
(
住友電工
)
ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面...
[more]
ED2013-124
MW2013-189
pp.79-84
LQE
,
ED
,
CPM
(共催)
2011-11-17
15:15
京都
京都大学桂キャンパス 桂ホール
AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析
○
細川大志
・
井川裕介
・
木尾勇介
・
敖 金平
・
大野泰夫
(
徳島大
)
ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ...
[more]
ED2011-82
CPM2011-131
LQE2011-105
pp.43-48
CPM
,
SDM
,
ED
(共催)
2011-05-20
16:40
愛知
名古屋大学 VBL
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~
○
杉山貴之
・
本田善央
・
山口雅史
・
天野 浩
(
名大
)・
磯部康裕
・
押村吉徳
・
岩谷素顕
・
竹内哲也
・
上山 智
・
赤崎 勇
(
名城大
)・
今出 完
・
北岡康夫
・
森 勇介
(
阪大
)
ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs...
[more]
ED2011-34
CPM2011-41
SDM2011-47
pp.175-178
CPM
,
LQE
,
ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪
阪大 中ノ島センター
低転位GaN基板上縦型HFET
○
岡田政也
・
斎藤 雄
・
横山満徳
・
中田 健
・
八重樫誠司
・
片山浩二
・
上野昌紀
・
木山 誠
・
勝山 造
・
中村孝夫
(
住友電工
)
ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field...
[more]
ED2010-157
CPM2010-123
LQE2010-113
pp.67-70
ED
2010-06-17
14:25
石川
北陸先端大
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析
○
鈴木寿一
・
田中成明
(
北陸先端大
)
ED2010-36
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能...
[more]
ED2010-36
pp.17-20
ED
2010-06-17
14:50
石川
北陸先端大
リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価
○
向野美郷
・
山田直樹
・
徳田博邦
・
葛原正明
(
福井大
)
ED2010-37
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ...
[more]
ED2010-37
pp.21-24
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2009-11-20
11:20
徳島
徳島大学(常三島キャンパス・工業会館)
ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析
○
黒田健太郎
・
井川裕介
・
光山健太
・
敖 金平
・
大野泰夫
(
徳島大
)
ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研...
[more]
ED2009-151
CPM2009-125
LQE2009-130
pp.109-114
ED
2009-07-30
15:50
大阪
大阪大学(銀杏会館)
オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御
○
野崎兼史
・
高橋義也
・
敖 金平
・
大野泰夫
(
徳島大
)
ED2009-107
オープンゲートAlGaN/GaN HFETのゲート部を酸、アルカリなどの電解質溶液に浸け、電解質溶液に各種金属板を介して...
[more]
ED2009-107
pp.29-32
ED
2009-06-11
16:25
東京
東京工業大学
MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化
○
前田就彦
・
廣木正伸
・
榎木孝知
(
NTT
)・
小林 隆
(
NTT-AT
)
ED2009-42
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の...
[more]
ED2009-42
pp.31-36
MW
,
ED
(共催)
2009-01-16
10:20
東京
機械振興会館
In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET
○
黒田正行
・
村田智洋
・
中澤敏志
・
瀧澤俊幸
・
西嶋将明
・
柳原 学
・
上田哲三
・
田中 毅
(
パナソニック
)
ED2008-220 MW2008-185
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN...
[more]
ED2008-220
MW2008-185
pp.125-128
MW
2008-08-28
14:20
大阪
大阪大学(豊中)
サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
○
村田智洋
・
黒田正行
(
松下電器
)・
永井秀一
(
Panasonic Boston Lab.
)・
西嶋将明
・
石田秀俊
・
柳原 学
・
上田哲三
・
酒井啓之
・
田中 毅
(
松下電器
)・
Ming Li
(
Panasonic Boston Lab.
)
MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI...
[more]
MW2008-85
pp.37-40
SDM
,
ED
(共催)
2008-07-09
11:40
北海道
かでる2・7(札幌)
[招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
○
Tadayoshi Deguchi
(
New Japan Radio
)・
Takashi Egawa
(
Nagoya Inst. of Tech.
)
ED2008-41 SDM2008-60
[more]
ED2008-41
SDM2008-60
pp.9-14
SDM
,
ED
(共催)
2008-07-11
09:25
北海道
かでる2・7(札幌)
[招待講演]Recent Advances on GaN Vertical Power Device
○
Tetsu Kachi
(
Toyota Central R&D Labs., Inc.
)
ED2008-72 SDM2008-91
Two types of the vertical device structure have been develo...
[more]
ED2008-72
SDM2008-91
pp.171-175
SDM
,
ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道
かでる2・7(札幌)
AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
○
Tomohiro Murata
・
Masayuki Kuroda
(
Matsushita Electric Industrial
)・
Shuichi Nagai
(
Panasonic Boston Lab.
)・
Masaaki Nishijima
・
Hidetoshi Ishida
・
Manabu Yanagihara
・
Tetsuzo Ueda
・
Hiroyuki Sakai
・
Tsuyoshi Tanaka
(
Matsushita Electric Industrial
)・
Ming Li
(
Panasonic Boston Lab.
)
ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire...
[more]
ED2008-103
SDM2008-122
pp.331-335
CPM
,
ED
,
LQE
(共催)
2007-10-12
09:25
福井
福井大学
無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ
○
黒田正行
・
上田哲三
・
田中 毅
(
松下電器
)
ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で...
[more]
ED2007-166
CPM2007-92
LQE2007-67
pp.53-56
ED
2007-06-16
10:35
富山
富山大学
AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
○
田中成明
(
北陸先端大
)・
住田行常
(
パウデック
)・
鈴木寿一
(
北陸先端大
)
ED2007-43
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ...
[more]
ED2007-43
pp.67-70
ED
,
CPM
,
LQE
(共催)
2006-10-05
15:45
京都
京都大学
XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
○
小野島紀夫
・
東脇正高
(
NICT
)・
須田 淳
・
木本恒暢
(
京大
)・
三村高志
(
NICT/富士通研
)・
松井敏明
(
NICT
)
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表...
[more]
ED2006-158
CPM2006-95
LQE2006-62
pp.35-38
ED
,
MW
(共催)
2006-01-19
13:20
東京
機械振興会館
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET
○
出口忠義
・
脇 英司
・
小野 悟
・
山下明一
・
鎌田 厚
・
中川 敦
(
新日本無線
)・
石川博康
・
江川孝志
(
名工大
)
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al...
[more]
ED2005-203
MW2005-157
pp.23-27
ED
,
MW
(共催)
2006-01-19
14:10
東京
機械振興会館
無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作
○
黒田正行
・
石田秀俊
・
上田哲三
・
田中 毅
(
松下電器
)
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非...
[more]
ED2005-205
MW2005-159
pp.35-39
MW
,
ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀
佐賀大学
超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
○
西嶋将明
・
村田智洋
・
廣瀬 裕
・
引田正洋
・
根来 昇
・
酒井啓之
・
上本康裕
・
井上 薫
・
田中 毅
・
上田大助
(
松下電器
)
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE...
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ED2005-165
MW2005-120
pp.39-43
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